[發(fā)明專利]一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710052765.3
• 申請(qǐng)日: 2017-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106934095B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂躍廣;石磊;姚博;李小平;劉彥明;朱從瑩;楊敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G06F30/20
• 分類號(hào): G06F30/20;G06F30/15
• 代理公司: 西安長(zhǎng)和專利代理有限公司 61227
• 代理人: 黃偉洪

1.一種基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法，其特征在于，所述基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟：

步驟一，將等離子鞘套分為多層，每層近似認(rèn)為是均勻的；

步驟二，對(duì)每一層的時(shí)變電子密度分別進(jìn)行建模；

步驟三，合成為空-時(shí)電子密度矩陣；

所述基于分層結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟：

第一步，生成M×N大小且空間分布服從非對(duì)稱高斯分布的電子密度均值矩陣[]：

；

其中M為空間劃分的層數(shù)，N為時(shí)間序列點(diǎn)數(shù)，z_m為空間位置的空間坐標(biāo)，t_n為第n個(gè)時(shí)刻；

輸入M=200、N=5×10⁴、電子密度均值剖面峰值Ne_peak=10¹⁹/m³、峰值對(duì)應(yīng)位置z_peak=0.01m、鞘套厚度z_M=0.05m、時(shí)間長(zhǎng)度t_N=0.05s、a₁和a₂為非對(duì)稱高斯函數(shù)的形狀參數(shù)，建立電子密度均值矩陣：

；

不同時(shí)刻的電子密度分布相同；

第二步，生成層數(shù)為M且服從非對(duì)稱高斯分布的標(biāo)準(zhǔn)差序列[σ(z_m)]=[σ(z₁), σ(z₂),…, σ(z_M)], 1≤m≤M：σ(z_m)為z_M位置處的抖動(dòng)方差；

輸入標(biāo)準(zhǔn)差剖面峰值σ_peak=0.15、b₁和b₂是非對(duì)稱高斯分布的形狀參數(shù)，建立標(biāo)準(zhǔn)差序列：

；

第三步，生成長(zhǎng)度為N的時(shí)變電子密度波動(dòng)量矩陣[r(z_m,t_n)]：

；

r(z_m,t_n)為z_m位置處t_n時(shí)刻的電子密度抖動(dòng)量；

第四步，將電子密度均值矩陣和時(shí)變電子密度波動(dòng)量矩陣點(diǎn)乘得到動(dòng)態(tài)電子密度模型[Ne(z_m,t_n)]＝[]·(1+[r(z_m,t_n)])。