[發明專利]一種基于分層結構的動態等離子鞘套電子密度建模方法

有效

• 申請號: 201710052765.3
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN106934095B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 呂躍廣;石磊;姚博;李小平;劉彥明;朱從瑩;楊敏
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/15
• 代理公司: 西安長和專利代理有限公司 61227
• 代理人: 黃偉洪

1.一種基于分層結構的動態等離子鞘套電子密度建模方法，其特征在于，所述基于分層結構的動態等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟：

步驟一，將等離子鞘套分為多層，每層近似認為是均勻的；

步驟二，對每一層的時變電子密度分別進行建模；

步驟三，合成為空-時電子密度矩陣；

所述基于分層結構的動態等離子鞘套電子密度建模方法包括以下步驟：

第一步，生成M×N大小且空間分布服從非對稱高斯分布的電子密度均值矩陣[]：

；

其中M為空間劃分的層數，N為時間序列點數，z_m為空間位置的空間坐標，t_n為第n個時刻；

輸入M=200、N=5×10⁴、電子密度均值剖面峰值Ne_peak=10¹⁹/m³、峰值對應位置z_peak=0.01m、鞘套厚度z_M=0.05m、時間長度t_N=0.05s、a₁和a₂為非對稱高斯函數的形狀參數，建立電子密度均值矩陣：

；

不同時刻的電子密度分布相同；

第二步，生成層數為M且服從非對稱高斯分布的標準差序列[σ(z_m)]=[σ(z₁), σ(z₂),…, σ(z_M)], 1≤m≤M：σ(z_m)為z_M位置處的抖動方差；

輸入標準差剖面峰值σ_peak=0.15、b₁和b₂是非對稱高斯分布的形狀參數，建立標準差序列：

；

第三步，生成長度為N的時變電子密度波動量矩陣[r(z_m,t_n)]：

；

r(z_m,t_n)為z_m位置處t_n時刻的電子密度抖動量；

第四步，將電子密度均值矩陣和時變電子密度波動量矩陣點乘得到動態電子密度模型[Ne(z_m,t_n)]＝[]·(1+[r(z_m,t_n)])。