[發明專利]一種MEMS晶圓切割方法及MEMS芯片制作方法

有效

• 申請號: 201710050894.9
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN106711091B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 劉艷松;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請公開MEMS晶圓切割方法及MEMS芯片制作方法，MEMS晶圓切割方法包括：將提供的MEMS晶圓貼在第一貼膜上，使MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區位于第一貼膜的鏤空區內；對MEMS晶圓背離MEMS芯片的表面進行切割；對切割后的MEMS晶圓進行擴片，得到多個獨立的MEMS芯片。由于第一貼膜包括與MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區相對應的鏤空區；在將MEMS晶圓貼在第一貼膜上時，MEMS芯片元件區位于第一貼膜的鏤空區內，從而在后續晶圓擴片過程中，使得第一貼膜對MEMS芯片的粘附力較小，避免了貼膜粘附力對MEMS芯片元件區的機械應力，進而降低了MEMS芯片的破片率，提高了MEMS芯片的產能。

技術領域

本發明涉及半導體封裝和測試技術領域，尤其涉及一種MEMS(Micro ElectroMechanical Systems，微機電系統)晶圓切割方法及MEMS芯片制作方法。

背景技術

在半導體封測過程中，把將一個晶圓上連在一起的具有獨立器件性能的幾百個至數千個芯片分離出來的過程叫做劃片或切割(Dicing Saw)。晶圓切割是先進封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)中的第一步。

MEMS芯片是在半導體制造技術的基礎上發展起來的。MEMS芯片切割過程中，無論鉆石刀切割(Diamond scriber)技術或激光切割技術，還是最先進的隱形激光劃片SD(Stealth dicing)技術，對晶圓正面和背面的機械應力，都會降低晶圓的機械強度，出現碎片、斷裂等情況，從而導致MEMS芯片的破片率較高，產能低下。

因此，亟需一種新的晶圓切割方法，以提高MEMS芯片的產能。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種MEMS晶圓切割方法及MEMS芯片制作方法，以解決現有技術中MEMS芯片的破片率較高，產能低下的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種MEMS晶圓切割方法，包括：

提供貼膜和MEMS晶圓，所述貼膜包括相對設置的第一貼膜和第二貼膜，所述第一貼膜包括與所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區相對應的鏤空區；

將所述MEMS晶圓貼在所述第一貼膜上，使所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區位于所述第一貼膜的鏤空區內；

對所述MEMS晶圓背離所述MEMS芯片的表面進行切割；

對切割后的MEMS晶圓進行擴片，得到多個獨立的MEMS芯片。

優選地，所述提供貼膜和MEMS晶圓步驟中，所述提供貼膜的具體方法包括：

提供兩層整面貼膜和鋼圈；

將所述兩層整面貼膜層疊設置，貼在所述鋼圈上；

按照所述MEMS晶圓上MEMS芯片元件區的布局，將靠近所述鋼圈的貼膜進行切割；

去除切割部分的貼膜，形成鏤空區，所述具有鏤空區的貼膜形成所述第一貼膜，未被切割的貼膜為第二貼膜。

優選地，所述去除切割部分的貼膜，形成鏤空區具體為：

采用鑷子將切割部分的貼膜揭掉，形成鏤空區。

優選地，在所述將所述MEMS晶圓貼在所述第一貼膜上之前，還包括：

將所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區與所述第一貼膜上的鏤空區對準。

優選地，所述對所述MEMS晶圓背離所述MEMS芯片的表面進行切割采用的為激光切割工藝。

優選地，所述貼膜為UV膜。

優選地，所述第一貼膜的厚度比所述第二貼膜的厚度大。