[發明專利]一種MEMS晶圓切割方法及MEMS芯片制作方法

有效

• 申請號: 201710050894.9
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN106711091B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 劉艷松;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種MEMS晶圓切割方法，其特征在于，包括：

提供貼膜和MEMS晶圓，所述貼膜包括相對設置的第一貼膜和第二貼膜，所述第一貼膜包括與所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區相對應的鏤空區；

將所述MEMS晶圓貼在所述第一貼膜上，使所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區位于所述第一貼膜的鏤空區內；

對所述MEMS晶圓背離所述MEMS芯片的表面進行切割；

對切割后的MEMS晶圓進行擴片，得到多個獨立的MEMS芯片；

其中，所述提供貼膜和MEMS晶圓步驟中，所述提供貼膜的具體方法包括：

提供兩層整面貼膜和鋼圈；

將所述兩層整面貼膜層疊設置，貼在所述鋼圈上；

按照所述MEMS晶圓上MEMS芯片元件區的布局，將靠近所述鋼圈的貼膜進行切割；

去除切割部分的貼膜，形成鏤空區，所述具有鏤空區的貼膜形成所述第一貼膜，未被切割的貼膜為第二貼膜。

2.根據權利要求1所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述去除切割部分的貼膜，形成鏤空區具體為：

采用鑷子將切割部分的貼膜揭掉，形成鏤空區。

3.根據權利要求1所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，在所述將所述MEMS晶圓貼在所述第一貼膜上之前，還包括：

將所述MEMS晶圓上的MEMS芯片元件區與所述第一貼膜上的鏤空區對準。

4.根據權利要求1所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述對所述MEMS晶圓背離所述MEMS芯片的表面進行切割采用的為激光切割工藝。

5.根據權利要求1所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述貼膜為UV膜。

6.根據權利要求5所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述第一貼膜的厚度比所述第二貼膜的厚度大。

7.根據權利要求5所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述對切割后的MEMS晶圓進行擴片，得到多個獨立的MEMS芯片具體包括：

對切割后的MEMS晶圓進行擴片；

對擴片后的MEMS晶圓進行UV曝光；

一一取下MEMS芯片，得到多個獨立的MEMS芯片。

8.根據權利要求7所述的MEMS晶圓切割方法，其特征在于，在所述對切割后的MEMS晶圓進行擴片之后，所述對擴片后的MEMS晶圓進行UV曝光之前，還包括：

檢測擴片后的MEMS晶圓；

連同所述鋼圈一起包裝，并運輸。

9.一種MEMS芯片制作方法，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的MEMS晶圓切割方法。