[發(fā)明專利]一種CVD碳化硅材料的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710049992.0
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106835071A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 涂溶;徐青芳;章嵩;張聯(lián)盟
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32;C23C16/48
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司42102
• 代理人: 崔友明

1.一種CVD碳化硅材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)將基板置于冷壁式化學(xué)氣相沉積腔體中的加熱臺上，將真空度調(diào)至10Pa以下，加熱基板，并保溫；

(2)以稀釋氣將前驅(qū)體帶入反應(yīng)腔體，調(diào)節(jié)反應(yīng)腔體內(nèi)壓強(P_dep)至400～800Pa；

(3)打開激光，激光波長為808nm，照射基板；

(4)調(diào)節(jié)激光功率，使基板溫度(T_dep)升至1100～1200℃沉積薄膜，保溫10min；

(5)停止通入稀釋氣和前驅(qū)體，關(guān)閉激光，抽真空至10Pa以下，材料自然冷卻至室溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所描述的一種CVD碳化硅材料的制備方法，其特征在于步驟(1)中加熱基板溫度為600℃，保溫時間30min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所描述的一種CVD碳化硅材料的制備方法，其特征在于步驟(2)采用Ar為稀釋氣，HMDS為前驅(qū)體。