[發明專利]單晶硅片制絨預清洗液的添加劑及其應用

有效

• 申請號: 201710048880.3
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106833954B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 王強;符杰;張麗娟;陳培良
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: C11D7/06
• 分類號: C11D7/06;C11D7/26;C11D7/60;C30B33/10;C30B29/06
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本發明公開了一種單晶硅片制絨預清洗液的添加劑，其各組分的質量百分含量為：聚乙二醇1%～20%，丙二醇丙醚0.1%～2.0%，水解聚馬來酸酐1.0%～5.0%，余量為水。本發明還提供一種單晶硅片制絨預清洗液，其含有堿溶液和上述添加劑。本發明還提供一種單晶硅片的制絨方法，先利用上述單晶硅片制絨預清洗液對單晶硅片進行預清洗，再制絨。本發明添加劑能大大提高預清洗液的清洗效果，既可以清除硅片表面的有機沾污和金屬雜質，又能去除硅片表面的機械損傷層，且殘留在硅片表面的預清洗液即使混入制絨液，也不會影響制絨液的絨效率效果，故硅片不需要再次漂洗，可直接進行表面制絨，進而提高制絨效率和效果。

技術領域

本發明涉及單晶硅片制絨預清洗液的添加劑及其應用。

背景技術

為了保證單晶硅片的制絨效果，需要對硅片進行如下預處理：1）清除硅片表面的有機沾污和金屬雜質；2）去除硅片表面的機械損傷層。但現有工藝都將上述兩種預處理分開進行，如通過雙氧水加堿對硅片進行預處理，可將殘留于硅片表面的油污和金屬物去除，提升制絨前硅片表面的潔凈度，但這種預處理并不會對硅片表面產生腐蝕，無法有效去除硅片表面的機械損傷層，故還需要另外的步驟來去除硅片表面的機械損傷層，且制絨前還需要對硅片進行漂洗，防止前道處理液混入制絨液，影響制絨液的功效。

發明內容

本發明的目的在于提供一種單晶硅片制絨預清洗液的添加劑及其應用，本發明添加劑能大大提高預清洗液的清洗效果，預清洗液既可以清除硅片表面的有機沾污和金屬雜質，又能去除硅片表面的機械損傷層，且預清洗后殘留在硅片表面的預清洗液即使混入制絨液，也不會影響制絨液的絨效率效果，故經過預清洗液清洗后的硅片不需要再次漂洗，可直接進行表面制絨，進而提高制絨效率和效果。

為實現上述目的，本發明提供一種單晶硅片制絨預清洗液的添加劑，其各組分的質量百分含量為：聚乙二醇1%～20%，丙二醇丙醚0.1%～2.0%，水解聚馬來酸酐1.0%～5.0%，余量為水。

優選的，所述水為去離子水。

本發明還提供一種單晶硅片制絨預清洗液，其含有堿溶液和上述添加劑，所述添加劑與堿溶液的質量比為0.2～3:100，所述堿溶液為無機堿或有機堿的水溶液。

優選的，所述堿溶液為0.5～3wt％的氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液。

本發明還提供一種單晶硅片的制絨方法，先利用上述單晶硅片制絨預清洗液對單晶硅片進行預清洗，再制絨。

優選的，所述預清洗的清洗溫度為75～90℃，清洗時間為500～1000s。

上述單晶硅片的制絨方法的具體步驟包括：

1）配置添加劑：將質量百分比為1%～20%的聚乙二醇、0.1%～2.0%的丙二醇丙醚、1.0%～5.0%的水解聚馬來酸酐加入到余量的水中，混合均勻配成單晶硅片制絨預清洗液的添加劑；

2）配置預清洗液：將步驟1）制成的添加劑加到堿溶液中，混合均勻配成單晶硅片制絨預清洗液；所述制絨預清洗液添加劑與堿溶液的質量比為0.2～3:100；所述堿溶液為無機堿或有機堿的水溶液；

3）預清洗：將單晶硅片浸入步驟2）制得的預清洗液中進行表面清洗，清洗溫度為75～90℃，制清洗時間為500～1000s；

4）制絨：對預清洗后的單晶硅片進行表面制絨。

本發明的優點和有益效果在于：提供一種單晶硅片制絨預清洗液的添加劑及其應用，本發明添加劑能大大提高預清洗液的清洗效果，預清洗液既可以清除硅片表面的有機沾污和金屬雜質，又能去除硅片表面的機械損傷層，且預清洗后殘留在硅片表面的預清洗液即使混入制絨液，也不會影響制絨液的絨效率效果，故經過預清洗液清洗后的硅片不需要再次漂洗，可直接進行表面制絨，進而提高制絨效率和效果。

具體實施方式