[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710048782.X
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN107180895B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 玄在星;李東律;樸正圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30;H01L33/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

可以制造的發光器件包括：在襯底上的包括第一摻雜劑的n型半導體層、在n型半導體層上的有源層以及在有源層上的包括第二摻雜劑的p型半導體層。可以根據第一成層工藝和第二成層工藝中的至少一個來形成發光器件。第一成層工藝可以包括：根據離子注入工藝將第一摻雜劑注入n型半導體層，并且第二成層工藝可以包括根據離子注入工藝將第二摻雜劑注入p型半導體層中。形成包括離子注入的摻雜劑在內的半導體層可以包括在離子注入之后對半導體層進行熱退火。p型半導體層可以包括濃度為約1×10¹⁷原子/cm³至約1×10¹⁸原子/cm³的鎂?氫(Mg?H)復合物。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年3月10日在韓國知識產權局提出的韓國專利申請No.10-2016-0029096的優先權，該申請的公開內容通過引用全部并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及發光器件及其制造方法，更具體地，涉及包括多個III-V族半導體層的發光器件及其制造方法。

背景技術

由于發光二極管(LED)比常規光源具有更長的壽命和更低的功消，LED已被包括在各種產品(包括顯示設備的照明裝置和背光單元 (BLU))中。通常，LED包括多個III-V族半導體層，并由于電子和空穴之間的重新組合而發光。在一些情況下，難以形成具有高晶體質量的多個III-V族半導體層，因此，可能劣化LED的發光效率。

發明內容

本發明構思提供了具有高發光效率的發光器件。

本發明構思還提供了制造具有高發光效率的發光器件的方法。

根據本發明構思的一些示例實施例，制造發光器件的方法可以包括：根據第一成層工藝和第二成層工藝之一，在襯底上形成n型半導體層、有源層和p型半導體層。第一成層工藝可以包括：在襯底上形成包括離子注入的第一摻雜劑的n型半導體層，在n型半導體層上形成有源層，以及在有源層上形成包括第二摻雜劑的p型半導體層。第二成層工藝可以包括：在襯底上形成n型半導體層，所述n型半導體層包括第一摻雜劑；在n型半導體層上形成有源層；以及在有源層上形成p型半導體層，所述p型半導體層包括離子注入的第二摻雜劑。

根據本發明構思的一些示例實施例，提供了一種發光器件。所述器件可以包括襯底、在襯底上的n型半導體層、在n型半導體層上的有源層、和在有源層上的p型半導體層，其中所述n型半導體層包括第一摻雜劑，且所述p型半導體層包括第二摻雜劑。p型半導體層可以包括濃度為約1×10¹⁷原子/cm³至約1×10¹⁸原子/cm³的鎂-氫(Mg-H) 復合物。

根據本發明構思的一些示例實施例，提供了一種發光器件。所述器件可以包括襯底、在襯底上的n型半導體層、在n型半導體層上的有源層、和在有源層上的p型半導體層，其中所述n型半導體層包括第一摻雜劑，且所述p型半導體層包括第二摻雜劑。p型半導體層中的第二摻雜劑的第一峰值濃度可以大于約1×10²⁰原子/cm³。

根據一些示例實施例，制造發光器件的方法可以包括：在襯底上形成n型半導體層，所述n型半導體層包括第一摻雜劑；在n型半導體層上形成有源層；以及在有源層上形成p型半導體層，所述p型半導體層包括第二摻雜劑，所述第二摻雜劑在所述p型半導體層中具有峰值濃度且所述峰值濃度大于約1×10²⁰原子/cm³。

根據一些示例實施例，制造發光器件的方法可以包括：在襯底上形成n型半導體層，所述n型半導體層包括離子注入的第一摻雜劑；在n型半導體層上形成有源層；以及在有源層上形成p型半導體層，所述p型半導體層包括離子注入的第二摻雜劑。

附圖說明

根據接下來結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本發明構思的實施例，在附圖中：