[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710048782.X
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN107180895B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 玄在星;李東律;樸正圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30;H01L33/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

1.一種制造發光器件的方法，所述方法包括：

根據成層工藝，在襯底上形成n型半導體層、有源層和p型半導體層；

其中所述成層工藝包括：

在襯底上形成n型半導體層，所述n型半導體層包括第一摻雜劑，其中，第一摻雜劑在沿第一方向的第一垂直位置中具有第一峰值濃度，所述第一方向與所述襯底的頂面垂直；

在n型半導體層上形成有源層；以及

在有源層上形成p型半導體層，其中形成p型半導體層包括：

在有源層上形成未摻雜的第二半導體層，所述未摻雜的第二半導體層不含第二摻雜劑；

將第二摻雜劑的離子注入未摻雜的第二半導體層以形成第二半導體層，其中第二摻雜劑在第一方向上的第二垂直位置中具有第二峰值濃度，所述第一方向與襯底的頂面垂直，并且第二峰值濃度大于1×10²⁰原子/cm³；以及

在將第二摻雜劑的離子注入未摻雜的第二半導體層之后，對第二半導體層進行熱退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其中p型半導體層中的第二摻雜劑的濃度在第一方向上具有高斯分布，所述第一方向與襯底的頂面垂直。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在800℃到1100℃的溫度下在氮氣氣氛中執行對第二半導體層的熱退火。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在p型半導體層上形成p型接觸層，所述p型接觸層包括第三摻雜劑，其中形成p型接觸層包括：

在p型半導體層上形成未摻雜的第三半導體層，所述未摻雜的第三半導體層不含第三摻雜劑；

將第三摻雜劑的離子注入未摻雜的第三半導體層以形成第三半導體層；以及

在將第三摻雜劑的離子注入未摻雜的第三半導體層之后，對第三半導體層進行熱退火。

5.根據權利要求4所述的方法，其中p型接觸層中的第三摻雜劑在沿第一方向上的第三垂直位置中具有第三峰值濃度，所述第一方向與襯底的頂面垂直。

6.一種制造發光器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成n型半導體層，所述n型半導體層包括第一摻雜劑；

在n型半導體層上形成有源層；以及

在有源層上形成p型半導體層，所述p型半導體層包括第二摻雜劑，所述第二摻雜劑在p型半導體層中具有峰值濃度，所述峰值濃度大于1×10²⁰原子/cm³，并且

所述p型半導體層包括濃度為1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的鎂-氫(Mg-H)復合物，

其中形成所述p型半導體層包括：

在有源層上形成初始p型半導體層，所述初始p型半導體層包括第一濃度的第二摻雜劑；

將第二摻雜劑的離子注入初始p型半導體層；以及

在將第二摻雜劑的離子注入初始p型半導體層之后，對初始p型半導體層進行熱退火。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述峰值濃度沿著第一方向位于p型半導體層中的第一垂直位置處，所述第一方向與襯底的頂面垂直。

8.根據權利要求6所述的方法，其中形成初始p型半導體層包括：將第二摻雜劑原位摻雜到初始p型半導體層中。