[發明專利]發光裝置與其制作方法

有效

• 申請號: 201710046399.0
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106920868B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 吳宗典;何金原;林宗毅
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;鄭特強

1.一種發光裝置，其特征在于，包含：

一基板；

一半導體結構，該半導體結構位于基板上并具有至少一側壁，該半導體結構包含：

一發光層；以及

一第一半導體層與一第二半導體層，其中該發光層置于該第一半導體層與該第二半導體層之間；

一第一電極，電性連接該半導體結構的該第一半導體層，該第一半導體層置于該發光層與該第一電極之間；

一第二電極，該第二電極設置于該基板與該半導體結構之間并電性連接該半導體結構的該第二半導體層，該第二半導體層置于該發光層與該第二電極之間；以及

至少一延伸電極，置于該半導體結構的該至少一側壁，且與該第二電極電性連接，其中該延伸電極未覆蓋該第一半導體層的頂面。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中該半導體結構還具有相對的一頂面與一底面，該半導體結構的該底面與該至少一側面之間形成一夾角，該夾角為銳角。

3.如權利要求2所述的發光裝置，其中該半導體結構的該底面的面積大于該半導體結構的該頂面的面積。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中該第二電極突出于該第二半導體層。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其中該半導體結構之該至少一側壁具有至少一階梯。

6.如權利要求1所述的發光裝置，還包含一第一絕緣層，至少置于該半導體結構與該延伸電極之間。

7.如權利要求6所述的發光裝置，其中該第一絕緣層的高度低于該半導體結構的高度。

8.如權利要求6所述的發光裝置，其中該半導體結構還具有一頂面，該絕緣層覆蓋部分的該頂面且毗鄰該第一電極。

9.如權利要求1所述的發光裝置，還包含：

一粘合層，置于該基板與該第二電極之間。

10.如權利要求9所述的發光裝置，其中該粘合層的電阻率大于10⁸歐姆·公分。

11.如權利要求9所述的發光裝置，還包含：

一主動元件，置于該基板與該粘合層之間；

一第一導電層，置于該主動元件與該粘合層之間，該第一導電層電性連接該主動元件與該半導體結構；以及

一第二導電層，置于該主動元件與該粘合層之間，該第二導電層與該第一導電層相隔一間隙，該第二導電層電性連接該半導體結構。

12.如權利要求11所述的發光裝置，其中該半導體結構置于該第一導電層上。

13.如權利要求11所述的發光裝置，還包含：

一第一連接層，電性連接該延伸電極與該第二導電層；

一第二絕緣層，覆蓋部分的該延伸電極與該半導體結構的該至少一側壁；以及

一第二連接層，置于該第二絕緣層上，且電性連接該第一電極與該第一導電層。

14.如權利要求11所述的發光裝置，還包含：

一第一連接層，電性連接該延伸電極與該第一導電層；

一第二絕緣層，覆蓋部分的該延伸電極與該半導體結構的該至少一側壁；以及

一第二連接層，置于該第二絕緣層上，且電性連接該第一電極與該第二導電層。

15.如權利要求13或14所述的發光裝置，其中部分的該第一連接層更置于該第二絕緣層與該延伸電極之間。