[發(fā)明專利]一種等離子刻蝕設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710045892.0
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN106653595B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尤春;劉維維;沙云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫中微掩模電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 張榮

1.一種等離子刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔室（1），反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置相對平行放置的正電極板（2）和負電極板（3），反應(yīng)腔室左側(cè)設(shè)置有氣體入口（4），反應(yīng)腔室右下側(cè)處設(shè)置有氣體出口（5）；其特征在于：所述負電極板（3）設(shè)置于反應(yīng)腔室（1）的上方，所述負電極板（3）和待 刻蝕的掩膜版（6）相互連接，待 刻蝕的掩膜版（6）位于負電極板（3）的下方，待 刻蝕的掩膜版（6）的版面朝下；所述正電極板（2）設(shè)置于反應(yīng)腔室（1）的下方并與待 刻蝕的掩膜版（6）相對，所述負電極板（3）上設(shè)置有氣孔（8），真空通過負電極板（3）上的氣孔（8）把負電極板（3）和待 刻蝕的掩膜版（6）吸附連接在一起，或者，負電極板（3）和待 刻蝕的掩膜版（6）通過機械連接方式連接在一起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述正電極板（2）的板面下側(cè)面連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線通過反應(yīng)腔室接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述負電極板（3）的板面上側(cè)面連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線與射頻電源（7）連接。