[發明專利]控制eDRAM深溝槽上方的外延生長以及如此形成的eDRAM

有效

• 申請號: 201710045521.2
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107017166B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: M·A·史密斯;S·S·馬哈詹;H·L·霍
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成嵌入式動態隨機訪問存儲器的方法，包括：

在襯底中形成多個多晶硅填充深溝槽；

向該多個多晶硅填充深溝槽的上部引入外延抑制摻雜物；

在該襯底上方形成多個鰭片，各多晶硅填充深溝槽與延伸于其上方的相應鰭片連接；以及

至少在該多晶硅填充深溝槽上方外延生長硅層，其中，外延的該硅層包括與該多晶硅填充深溝槽的該上部的周邊基本相同的周邊，以及其中，所述外延生長該硅層包括在與各多晶硅填充深溝槽連接并位于其上方的該相應鰭片上生長硅。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該外延抑制摻雜物包括n型摻雜物。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該外延抑制摻雜物包括磷。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該外延抑制摻雜物包括砷。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該引入包括向該多個多晶硅填充深溝槽的該上部注入該外延抑制摻雜物，還包括在該注入以后退火該多個多晶硅填充深溝槽。

6.如權利要求1所述的方法，還包括通過使用與各該多個多晶硅填充深溝槽連接并位于其上方的該相應鰭片針對各該多個多晶硅填充深溝槽形成鰭式場效應晶體管。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述形成該多個多晶硅填充深溝槽包括：

圖案化位于該襯底上方的掩膜，以設置多個溝槽開口；

通過使用該掩膜蝕刻該多個溝槽開口至該襯底中，以形成多個深溝槽；以及

在各深溝槽中填充多晶硅，以形成該多個多晶硅填充深溝槽。

8.如權利要求7所述的方法，其中，該引入包括使用該掩膜以相對該襯底的周圍區域，基本僅在該多個多晶硅填充深溝槽中注入該外延抑制摻雜物的離子。

9.如權利要求1所述的方法，其中，該引入包括通過使用約10千電子伏特的離子能量注入該外延抑制摻雜物。

10.如權利要求1所述的方法，其中，該引入包括以每平方厘米1x10¹⁵至3x10¹⁵原子范圍內的離子劑量注入該外延抑制摻雜物。

11.一種嵌入式動態隨機訪問存儲器，包括：

襯底；

位于該襯底中的多晶硅填充深溝槽，該多晶硅填充深溝槽包括摻雜上部，該摻雜上部包括外延抑制摻雜物；以及

延伸于該多晶硅填充深溝槽上方的鰭式場效應晶體管，該鰭式場效應晶體管包括延伸于該多晶硅填充深溝槽的該摻雜上部上方的外延硅層，該外延硅層具有與該多晶硅填充深溝槽的該摻雜上部的周邊基本相同的周邊。

12.如權利要求11所述的嵌入式動態隨機訪問存儲器，其中，該外延抑制摻雜物包括n型摻雜物。

13.如權利要求11所述的嵌入式動態隨機訪問存儲器，其中，該外延抑制摻雜物包括磷。

14.如權利要求11所述的嵌入式動態隨機訪問存儲器，其中，該外延抑制摻雜物包括砷。

15.如權利要求11所述的嵌入式動態隨機訪問存儲器，其中，該外延硅層圍繞延伸于相應多晶硅填充深溝槽上方的該鰭式場效應晶體管的各鰭片。