[發明專利]一種三氧化二鋁鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法

在審

• 申請號: 201710044974.3
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN106876519A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 周文遠;秦崇德;王建迪;方結彬;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司11429
• 代理人: 孔凡亮

1.一種三氧化二鋁鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)選取N型單晶硅片或N型多晶硅片作為基底(4)；

(2)將基底(4)雙面均進行清洗以及制絨處理，在基底(4)雙面均形成陷光結構；

(3)規定基底(4)的任一面為正面，則另一面為背面，在正面進行硼擴散工藝，形成P型發射區(5)；

(4)刻蝕去除正面硼擴散工藝產生的硼硅玻璃，及邊緣和背面的硼摻雜層；

(5)在基底(4)正面鍍上Al₂O₃鈍化膜(6)；

(6)在基底(4)正面鍍上正面SixNy減反膜(7)；

(7)在基底(4)背面進行磷擴散，形成N型重摻雜層(3)；

(8)刻蝕去除背面磷擴散工藝產生的磷硅玻璃，及邊緣的磷摻雜；

(9)在基底(4)背面鍍上背面SixNy減反膜(2)；

(10)在基底(4)正面印刷正面柵狀電極(8)，烘干；

(11)在基底(4)背面印刷背面柵狀電極(1)，烘干；

(12)對上述半成品進行燒結處理，冷卻后得到雙面受光的N型電池。

2.根據權利要求1所述的Al₂O₃鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述的N型單晶硅片和N型多晶硅片分別為磷摻雜的N型硅片，其厚度為170～210μm，電阻率為1～3Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的Al₂O₃鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：步驟(5)中所述的Al₂O₃鈍化膜(6)采用遠源等離子體濺射系統制備，其包括以下步驟：

A、采用高純金屬鋁作為等離子體濺射的靶材，基底正面作為待鍍膜的基底面，將基底(4)加熱到一定溫度；

B、將反應室抽至一定的真空度；

C、通入一定流量的高純的氬氣；

D、采用射頻等離子體信號激發氬氣產生Ar等離子體束，并施加磁場使等離子體束發生偏轉；

E、在靶材施加偏置電壓，Ar等離子體束在偏置電壓作用下定向轟擊靶材激發出Al原子，Al原子在轟擊力作用下向基底面方向運動；

F、在反應室中通入一定流量的氧氣，被Ar等離子體束轟擊出的Al原子與氧氣反應生成Al₂O₃沉積在硅片正面，形成Al₂O₃鈍化膜。

4.根據權利要求3所述的Al₂O₃鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟A中基底(4)的加熱溫度為60～80℃；步驟B中的真空度為1～3×10^-5mbar；步驟C中氬氣的流量為30～60sccm；步驟E中的偏置電壓為-100～-200V；步驟F中氧氣流量為90～140sccm，制備Al₂O₃鈍化膜的反應時間為5～10min，Al₂O₃鈍化膜的厚度為20～40nm。

5.根據權利要求1所述的Al₂O₃鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(10)中所述的正面柵狀電極(8)采用燒穿型銀鋁漿料進行印刷，該正面柵狀電極(8)包含3～6根主柵，95～110根副柵。

6.根據權利要求1所述的Al₂O₃鈍化N型雙面晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(11)中所述的背面柵狀電極(1)采用導電銀漿料進行印刷，該背面柵狀電極(1)包含3～6根主柵，95～110根副柵。