[發明專利]一種制備親疏圖案的光刻方法

有效

• 申請號: 201710044839.9
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107065444B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 朱艷青;徐剛;史繼富
• 申請（專利權）人: 中國科學院廣州能源研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 廣州科粵專利商標代理有限公司 44001
• 代理人: 蔣歡妹;莫瑤江

本發明公開了一種制備親疏圖案的光刻方法，包括以下步驟：首先在基底上涂覆或噴涂帶有圖案的圖案連接層，其次涂覆、噴涂或旋涂表面涂層，最后由紫外光或太陽光或可見光或紅外光進行照射，得到親疏圖案；所述的基底的材料選自玻璃、金屬、合金、不銹鋼、墻體、紙張、棉織物中的任一種；所述的圖案連接層為具有圖案的有機硅膠或硅氧烷；所述表面涂層為尺寸為10nm～10μm微納二氧化鈦顆粒或表面修飾有低表面能物質的微納二氧化鈦顆粒。本發明不需要光掩模，制備方法簡單，擴大了光刻技術的使用范圍，并且節省了能源，并可以制備任意尺寸的圖案，實現低表面能物質的自供應，從而延長了其使用壽命，具有廣泛的應用前景。

技術領域：

本發明涉及一種制備親疏圖案的方法，具體涉及一種制備親疏圖案的光刻方法。

背景技術：

親疏圖案是指由親水區和疏水區組成的圖案，它在微通道、膠版印刷、細胞生長和篩選、表面粘附性的控制等都有著廣泛的應用前景。親疏圖案的制備方法包括剝離、噴墨印刷、激光刻蝕、紫外光刻等方法，其中紫外光刻方法是應用最為廣泛的一種。

紫外光刻技術是指在紫外光照作用下，借助光刻膠將光掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。在此種紫外光刻技術中，光掩模版是必須的。然而，光掩模版的使用在一定程度上使光刻過程變得復雜，并且限制了光刻技術的使用范圍和圖形的大小。另外，如何利用太陽光的曝光技術也是人們所需解決的難題之一。

發明內容：

本發明的目的是提供一種制備親疏圖案的光刻方法，該方法不需要光掩模，制備方法簡單，擴大了光刻技術的使用范圍，并且可以直接利用紫外或太陽光進行曝光來實現，節省了能源，并可以制備任意尺寸的圖案，不受尺寸限制。

本發明是通過以下技術方案予以實現的：

一種制備親疏圖案的光刻方法，該方法包括以下步驟：首先在基底上涂覆或噴涂一層帶有圖案的圖案連接層，其次涂覆、噴涂或旋涂一層表面涂層，最后由紫外光或太陽光或可見光或紅外光進行照射，得到親疏圖案；所述的基底的材料選自玻璃、金屬、合金、不銹鋼、墻體、紙張、棉織物中的任一種；所述的圖案連接層為具有圖案的有機硅膠或硅氧烷；所述表面涂層為尺寸為10nm～10μm微納二氧化鈦顆粒或表面修飾有低表面能物質的微納二氧化鈦顆粒；所述的低表面能物質為氟硅烷或硅氧烷。

優選地，所述的圖案連接層的圖案的制備方法為絲網印刷、點膠機或手動繪制。

所述的低表面能物質為主鏈含碳原子數≥4的氟硅烷或硅氧烷，優選為十三氟三乙氧基辛基硅烷、三乙氧基九氟己基硅烷。

所述的圖案連接層為具有圖案的有機硅膠或硅氧烷，其在光照的作用下，TiO₂的光催化作用將其分解成小分子，擴散到TiO₂的表面，形成疏水涂層，從而實現了低表面能物質的自供應。

本發明的有益效果如下：

本發明不需要光掩模，制備方法簡單，擴大了光刻技術的使用范圍，并且可以直接利用紫外或太陽光進行曝光來實現，節省了能源，并可以制備任意尺寸的圖案，不受尺寸限制，本發明可以實現低表面能物質的自供應，從而延長了其使用壽命，具有廣泛的應用前景。

附圖說明：

圖1是本發明的工藝流程示意圖；

其中，1、基底，2、圖案連接層，3、表面涂層，4、親或疏水區域，5、疏或親水區域。

具體實施方式：

以下是對本發明的進一步說明，而不是對本發明的限制。

實施例1：