[發明專利]一種模擬組培育苗方法及應用在審
| 申請號: | 201710042150.2 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN106797879A | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發明(設計)人: | 王福喜 | 申請(專利權)人: | 康盛京構(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | A01G31/00 | 分類號: | A01G31/00;A01G9/10;A01G13/02;A01G13/00 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250 | 代理人: | 李敏 |
| 地址: | 100176 北京市大興區亦莊*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模擬 培育 方法 應用 | ||
1.一種模擬組培育苗方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)構建拱棚并在所述拱棚內設置用于育苗的苗床,密封所述拱棚,然后對所述拱棚內部進行一次殺菌消毒;
(2)對用于育苗的外植體進行預處理,然后插于所述苗床上,密封所述拱棚并對所述拱棚內部進行二次殺菌消毒;
(3)控制所述拱棚內的溫度、相對濕度和光照強度以進行育苗養護;
(4)煉苗;
(5)移栽至大田種植。
2.根據權利要求1所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,在所述步驟(3)中,所述溫度為25-35℃;所述相對濕度為80-95%;所述光照強度為3000-4000Lux,每日光照10-12h。
3.根據權利要求1或2所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,在所述步驟(2)中,所述外植體為母本硬枝枝條,以含有至少兩個芽眼為一莖段剪段,并確保所述莖段的形態學上端為平口、形態學下端為斜口,將所述莖段的形態學下端蘸生根劑,然后將所述形態學下端插入所述苗床的基質中;或
所述外植體為嫩枝,將其剪成單芽莖段,將所述單芽莖段的形態學下端用生根劑浸泡,然后將所述形態學下端插入所述苗床的基質中。
4.根據權利要求3所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,所述外植體為母本硬枝枝條時所采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液,所述IAA的濃度為15-25mg/L,所述NAA的濃度為25-35mg/L;
所述外植體為嫩枝時所采用的生根劑為含有IAA和NAA的混合液,所述IAA的濃度為1.5-2.5mg/L,所述NAA的濃度為2.5-3.5mg/L。
5.根據權利要求1-4任一項所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,在所述步驟(1)中,采用700-900倍液的殺菌劑噴透所述苗床中的基質以實現對所述拱棚的一次殺菌消毒;
在所述步驟(2)中,采用950-1050倍液的殺菌劑對所述拱棚內部進行二次殺菌消毒,所述殺菌劑的噴施量為噴透所述苗床中基質的1/2-2/3。
6.根據權利要求1-5任一項所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,所述苗床中基質的原料組成包括草炭、珍珠巖和蛭石,且草炭:珍珠巖:蛭石的質量比為(2-4):1:1。
7.根據權利要求1-6任一項所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,將所述基質與水按照質量比為(8-10):1混合均勻并裝入穴盤中,由若干個所述穴盤緊密排放構成所述苗床。
8.根據權利要求1-7任一項所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,在所述步驟(4)中,待所述步驟(3)中的莖段生長為根莖葉俱全且高度在15~25cm的幼苗后,在所述拱棚上部設置通風口,即開始煉苗,隨著所述煉苗的時間增加,所述通風口逐漸增大直至完全揭去棚膜以結束煉苗。
9.根據權利要求1-8任一項所述的模擬組培育苗方法,其特征在于,所述拱棚的拱寬為2-2.2m,拱高為1.1-1.3m,所述拱棚的總長度為22-26m;
還包括在構建好的所述拱棚內的地面和/或頂部設置用于噴水或噴藥的微型噴頭的步驟。
10.一種如權要求1-9任一項所述的模擬組培育苗方法在培育花卉和樹木中的用途。
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