[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710042098.0 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN106653776B | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曹可;姜濤;楊成紹 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅瑞芝;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板包括襯底和設(shè)置在襯底上的晶體管,晶體管包括柵極和有源層;柵極的面對有源層的一側(cè)面上形成有光線吸收層,光線吸收層能對照射到其上的光線進行吸收。該陣列基板通過在柵極的面對有源層的一側(cè)面上形成光線吸收層,能夠?qū)⒄丈涞狡渖系谋彻夤饩€進行吸收,從而避免照射到有源層上的背光光線反射到柵極上之后,柵極將該部分光線再次反射到有源層,進而減少照射到有源層上的背光光線,以減少背光光線對晶體管的開關(guān)特性造成影響,最終確保晶體管的開關(guān)穩(wěn)定性和采用該陣列基板的顯示裝置的顯示效果和可信賴性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。
背景技術(shù)
由于曝光設(shè)備的昂貴,曝光環(huán)節(jié)一直是液晶顯示屏制造中成本控制的重點。
為節(jié)省曝光成本,目前較多陣列基板的薄膜晶體管(TFT)制備工藝流程將有源層和源漏極用一次曝光做成,這種工藝方法節(jié)省了一道掩模(Mask)工藝,因此在節(jié)省生產(chǎn)節(jié)拍和曝光設(shè)備成本上有明顯的優(yōu)勢。
但是,這種工藝會導(dǎo)致有源層相對位于其下方的柵極其圖形伸出量過多,使得底部柵極無法完全遮擋背光源對有源層的照射,如圖1所示,進入到有源層22的背光光線會造成薄膜晶體管(TFT)開關(guān)特性的改變,使之在工作中不穩(wěn)定,影響液晶顯示器的顯示效果和可信賴性;于此同時,柵極21對從有源層22反射回來的背光光線會再次反射,背光光線重新回到有源層22,使得有源層22受到“二次照射”,這進一步增加了背光源光線對有源層22的不利影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題,提供一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板通過在柵極面對有源層的一側(cè)面上形成光線吸收層,能夠?qū)⒄丈涞狡渖系谋彻夤饩€進行吸收,從而避免照射到有源層上的背光光線反射到柵極上之后,柵極將該部分光線再次反射到有源層,進而減少照射到有源層上的背光光線,以減少背光光線對晶體管的開關(guān)特性造成影響,最終確保晶體管的開關(guān)穩(wěn)定性和采用該陣列基板的顯示裝置的顯示效果和可信賴性。
本發(fā)明提供一種陣列基板,包括襯底和設(shè)置在所述襯底上的晶體管,所述晶體管包括柵極和有源層;所述柵極的面對所述有源層的一側(cè)面上形成有光線吸收層,所述光線吸收層能對照射到其上的光線進行吸收。
優(yōu)選地,所述柵極的材料包括銅;所述光線吸收層包括銅的氧化物的微晶粒和銅的硫化物的微晶粒;所述光線吸收層的表面呈凹凸不平狀。
優(yōu)選地,所述光線吸收層的顏色為黑色或黑灰色。
優(yōu)選地,所述光線吸收層的厚度為10-30nm。
優(yōu)選地,所述晶體管的源極和漏極同層設(shè)置,且分別位于所述有源層的同一側(cè)的相對兩端。
優(yōu)選地,所述柵極設(shè)置于所述有源層的上方或下方。
本發(fā)明還提供一種顯示裝置,包括上述陣列基板。
本發(fā)明還提供一種如上述陣列基板的制備方法,包括采用構(gòu)圖工藝在襯底上分別形成包括柵極的圖形和有源層的圖形的步驟,在形成所述柵極的圖形時,將所述柵極的圖形上的光刻膠灰化完畢后,繼續(xù)對所述柵極的圖形進行灰化工藝,以在所述柵極的圖形的面對所述有源層的一側(cè)面上形成光線吸收層。
優(yōu)選地,所述柵極的材料包括銅;對所述柵極的圖形的灰化工藝包括:在干刻設(shè)備中采用六氟化硫氣體和氧氣產(chǎn)生的等離子體對所述柵極的圖形區(qū)域進行刻蝕,以使所述柵極的圖形區(qū)域的表層材料反應(yīng)生成包括銅的氧化物的微晶粒和銅的硫化物的微晶粒。
優(yōu)選地,還包括形成包括柵線的圖形的步驟,所述柵線的圖形和所述柵極的圖形通過灰色調(diào)掩模工藝同時形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





