[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710042098.0 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN106653776B | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 曹可;姜濤;楊成紹 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅瑞芝;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括襯底和設置在所述襯底上的晶體管,所述晶體管包括柵極和有源層;其特征在于,所述柵極的面對所述有源層的一側面上形成有光線吸收層,所述光線吸收層能對照射到其上的光線進行吸收;
所述柵極的材料包括銅;所述光線吸收層包括銅的氧化物的微晶粒和銅的硫化物的微晶粒,所述光線吸收層的表面呈凹凸不平狀,并且,所述柵極與柵線通過灰色調掩模工藝同時形成。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述光線吸收層的顏色為黑色或黑灰色。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述光線吸收層的厚度為10-30nm。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述晶體管的源極和漏極同層設置,且分別位于所述有源層的同一側的相對兩端。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極設置于所述有源層的上方或下方。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-5任意一項所述的陣列基板。
7.一種如權利要求1-5任意一項所述的陣列基板的制備方法,包括采用構圖工藝在襯底上分別形成包括柵極的圖形和有源層的圖形的步驟,其特征在于,在形成所述柵極的圖形時,將所述柵極的圖形上的光刻膠灰化完畢后,繼續對所述柵極的圖形進行灰化工藝,以在所述柵極的圖形的面對所述有源層的一側面上形成光線吸收層;
所述柵極的材料包括銅;對所述柵極的圖形的灰化工藝包括:在干刻設備中采用六氟化硫氣體和氧氣產生的等離子體對所述柵極的圖形區域進行刻蝕,以使所述柵極的圖形區域的表層材料反應生成包括銅的氧化物的微晶粒和銅的硫化物的微晶粒;
還包括形成包括柵線的圖形的步驟,所述柵線的圖形和所述柵極的圖形通過灰色調掩模工藝同時形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





