[發(fā)明專利]用于面積減小的注入結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710041582.1
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107039254A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿比拉什·V·薩扎希達(dá)希爾;德尼爾·達(dá)斯·科拉迪;阿南·丹納拉卡斯米·拉姆達(dá)斯
• 申請（專利權(quán)）人: ARM有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/82;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 倪斌

背景技術(shù)

本章節(jié)旨在提供與理解本文所述的各種技術(shù)相關(guān)的信息。正如章節(jié)的標(biāo)題所暗示的，這是對相關(guān)技術(shù)的討論，其絕不暗示它是現(xiàn)有技術(shù)。通常，相關(guān)技術(shù)可以被認(rèn)為是或者可以不被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是本章節(jié)中的任何陳述應(yīng)當(dāng)從這個角度來閱讀，而不作為對現(xiàn)有技術(shù)的任何承認(rèn)。

通常，在物理設(shè)計中，在高級工藝節(jié)點處的性能和可靠性可能受到標(biāo)準(zhǔn)單元庫的法定要求的限制。例如，在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(其可能在標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)部不具有限定的阱或襯底束縛(t ie))的情況下，可能需要設(shè)計者將N型阱束縛到最高電位(例如，源極電位，諸如VDD)，并且在使用阱分接頭單元執(zhí)行布局布線(PnR)之前進(jìn)一步將襯底(或P型阱)束縛到最低電位(例如，地電位，諸如GND或VSS)。此外，阱分接頭結(jié)構(gòu)可以包括由N型阱、N型注入和有源區(qū)形成的N型分接頭，以及由P型阱、P型注入和另一有源區(qū)形成的P型分接頭。接下來，然后可以使用金屬線和接觸/通孔將N型和P型分接頭連接或耦合到適當(dāng)?shù)碾妷弘娢?例如，VDD、VSS)。通常，參考標(biāo)準(zhǔn)單元庫，這些類型的結(jié)構(gòu)應(yīng)當(dāng)在最小可能面積內(nèi)實現(xiàn)。

參考物理設(shè)計，圖1示出了如本領(lǐng)域中已知的用于單元100的常規(guī)注入結(jié)構(gòu)的圖。特別地，圖1涉及使用常規(guī)島式阱分接頭120、122的阱分接頭的常規(guī)注入結(jié)構(gòu)100。如圖1所示，可以用P型注入和N型島122來注入N型阱區(qū)，此外可以用N型注入和P型島120來注入P型阱區(qū)。如圖1進(jìn)一步所示，單元100可包括經(jīng)由金屬和接觸/通孔耦合到不同電位VSS、VDD的有源區(qū)。

附圖說明

本文參考附圖描述了各種技術(shù)的實現(xiàn)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，附圖僅示出了本文所描述的各種實現(xiàn)，并且不意味著限制本文所描述的各種技術(shù)的實施例。

圖1示出了本領(lǐng)域中已知的常規(guī)注入結(jié)構(gòu)的圖。

圖2A-2B示出了根據(jù)本文描述的各種實現(xiàn)的集成電路的單元的注入結(jié)構(gòu)的各種圖。

圖3示出了根據(jù)本文描述的各種實現(xiàn)的用于提供用于物理設(shè)計中的面積減小的注入結(jié)構(gòu)的方法的過程流程圖。

圖4示出了根據(jù)本文描述的各種實現(xiàn)的用于提供用于物理設(shè)計中的面積減小的注入結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)的圖。

具體實施方式

本文描述的各種實現(xiàn)涉及用于物理設(shè)計中的面積減小的注入結(jié)構(gòu)，諸如例如用于面積減小的改進(jìn)的阱分接頭結(jié)構(gòu)。例如，本文描述的各種實現(xiàn)涉及標(biāo)準(zhǔn)單元布局設(shè)計技術(shù)，其可以幫助在高密度標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)中實現(xiàn)面積高效的阱分接頭結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)可以減小高密度或超高密度標(biāo)準(zhǔn)單元庫中的阱分接頭單元的面積。由于在較小的單元高度中滿足注入和有源面積要求的挑戰(zhàn)，該技術(shù)可以通過創(chuàng)建法定的阱結(jié)構(gòu)而在設(shè)計規(guī)則內(nèi)提供優(yōu)點。在標(biāo)準(zhǔn)單元中，每個層遵循由單元架構(gòu)限定的單元邊界條件可能是重要的。在與邊界間隔進(jìn)行注入之后的分接頭結(jié)構(gòu)的可用面積可能不足以滿足設(shè)計規(guī)則，這可能需要更多的單元寬度。如本文所述，此技術(shù)使用連續(xù)注入結(jié)構(gòu)而不是常規(guī)島形成方式來克服最小注入和有源面積挑戰(zhàn)。

現(xiàn)在本文將參考圖2A-4更詳細(xì)地描述用于物理設(shè)計中的面積減小的注入結(jié)構(gòu)的各種實現(xiàn)。

參考物理設(shè)計，圖2A-2B示出了根據(jù)本文描述的實現(xiàn)的用于集成電路的單元200的注入結(jié)構(gòu)的各種圖。特別地，圖2A涉及具有用于物理設(shè)計中的集成電路的面積減小的第一和第二注入結(jié)構(gòu)220、222的單元200的第一單元布局200A，并且圖2B涉及具有用于物理設(shè)計中的集成電路的面積減小的第三和第四注入結(jié)構(gòu)224、226的單元200的第二單元布局200B。

參考圖2A，用單元200的實例示出了單元200的第一單元布局200A。單元200可以包括指定用于第一類型注入的第一區(qū)域210和指定用于與第一類型注入不同的第二類型注入的第二區(qū)域212。單元200可以包括具有由第一和第二區(qū)域210、212限定的單元邊界202的單元區(qū)域。單元邊界202可以限定單元200的單元寬度204和單元高度206。第一區(qū)域210可以包括N型阱區(qū)，并且第二區(qū)域212可以包括襯底或P型阱區(qū)。此外，第一類型注入可以包括P型注入，并且第二類型注入可以包括N型注入。