[發明專利]用于面積減小的注入結構

在審

• 申請號: 201710041582.1
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107039254A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 阿比拉什·V·薩扎希達希爾;德尼爾·達斯·科拉迪;阿南·丹納拉卡斯米·拉姆達斯
• 申請（專利權）人: ARM有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/82;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 倪斌

1.一種集成電路，包括：

單元，其具有指定用于第一類型注入的第一區域和指定用于與第一類型注入不同的第二類型注入的第二區域；

第一注入結構，其被配置為利用第一類型注入來注入所述第一區域，使得所述第一區域在所述第二區域的一部分內延伸；以及

第二注入結構，其被配置為利用第二類型注入來注入所述第二區域，使得所述第二區域在所述第一區域的一部分內延伸。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述單元包括具有由第一和第二區域限定的單元邊界的單元區域。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其中所述單元邊界限定所述單元的單元寬度和單元高度。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一區域包括N型阱區，并且其中所述第二區域包括襯底或P型阱區。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一類型注入包括P型注入，并且其中所述第二類型注入包括N型注入。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一注入結構包括第一連續注入結構，其被配置為利用在所述第二區域的一部分內連續延伸的第一類型注入來注入所述第一區域。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一注入結構被配置為在第二區域的邊界內包封所述單元的第一有源區。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一注入結構經由第一金屬線和通孔電耦合到具有第一極性的第一電位。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其中所述第一電位包括地電壓，并且其中所述第一極性包括負極性。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第二注入結構包括第二連續注入結構，其被配置為利用在所述第一區域的一部分內連續延伸的第二類型注入來注入所述第二區域。

11.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第二注入結構被配置為在所述第一區域的邊界內包封所述單元的第二有源區。

12.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第二注入結構經由第二金屬線和通孔電耦合到具有第二極性的第二電位。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其中所述第二電位包括源電壓，并且其中所述第二極性包括正極性。

14.一種集成電路的單元，包括：

指定用于P型注入的N型阱區；

指定用于N型注入的P型阱區；

第一注入結構，其被配置為利用在所述P型阱區的一部分內延伸的P型注入來注入所述N型阱區；以及

第二注入結構，其被配置為利用在所述N型阱區的一部分內延伸的N型注入來注入所述P型阱區。

15.根據權利要求14所述的單元，其中所述單元包括具有由所述N型區和所述P型區限定的單元邊界的單元區域，并且其中所述單元邊界限定所述單元的單元寬度和單元高度。

16.根據權利要求14所述的單元，其中所述第一注入結構包括第一連續注入結構，其被配置為利用在所述P型阱區的一部分內連續延伸的P型注入來注入所述N型阱區，并且其中所述第一連續注入結構被配置為在所述P型阱區的邊界內包封所述單元的第一有源區。

17.根據權利要求14所述的單元，其中所述第二注入結構包括第二連續注入結構，其被配置為利用在所述N型阱區的一部分內連續延伸的N型注入來注入所述P型阱區，并且其中所述第二連續注入結構被配置為在所述N型阱區的邊界內包封所述單元的第二有源區。

18.根據權利要求14所述的單元，其中所述第一注入結構經由第一金屬線和通孔電耦合到具有負極性的地電位電壓，并且其中所述第二注入結構經由第二金屬線和通孔電耦合到具有正極性的源極電位電壓。

19.一種制造集成電路的單元的方法，包括：

指定用于第一類型注入的單元的第一區域；

指定用于與第一類型注入不同的第二類型注入的單元的第二區域；

使用第一注入結構以利用第一類型注入來注入所述單元的第一區域，使得所述第一區域在所述第二區域的一部分內延伸；以及

使用第二注入結構以利用第二類型注入來注入所述單元的第二區域，使得所述第二區域在所述第一區域的一部分內延伸。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述單元包括具有由第一和第二區域限定的單元邊界的單元區域，并且其中所述單元邊界限定所述單元的單元寬度和單元高度。