[發明專利]支撐基底以及使用支撐基底制造半導體封裝件的方法

有效

• 申請號: 201710041269.8
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107104070B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 崔允碩;金一浩;金昌鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B32B17/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;劉燦強

提供了一種支撐基底、一種制造半導體封裝件的方法、一種半導體封裝件，所述支撐基底包括：第一板；位于第一板上的第二板；以及位于第一板與第二板之間的粘結層，其中，粘結層的熱膨脹系數(CTE)高于第一板的熱膨脹系數并且高于第二板的熱膨脹系數。

在2016年2月19日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0019771號并且標題為“Support Substrate and A Method of Manufacturing A Semiconductor PackageUsing the Same”(支撐基底以及使用支撐基底制造半導體封裝件的方法)的韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

實施例涉及一種支撐基底以及使用該支撐基底制造半導體封裝件的方法。

背景技術

在一些半導體封裝技術中，半導體芯片可以通過倒裝焊接法安裝在基底上。輸入/輸出(I/O)端子可以布置在通過倒裝焊接法安裝在基底上的半導體芯片的與基底相鄰的表面的整個部分上，因此倒裝焊接法可以應用于需要許多I/O端子的電子裝置(例如，微處理器和/或中央處理單元(CPU))。

發明內容

實施例旨在提供一種支撐基底以及使用該支撐基底制造半導體封裝件的方法。

實施例可以通過提供一種支撐基底來實現，所述支撐基底包括：第一板；第二板，位于第一板上；以及粘結層，位于第一板與第二板之間，其中，粘結層的熱膨脹系數(CTE)高于第一板的CTE并且高于第二板的CTE。

實施例可以通過提供一種支撐基底來實現，所述支撐基底包括：第一無機層；聚合物層，位于第一無機層上；以及第二無機層，位于聚合物層上，其中，聚合物層的熱膨脹系數(CTE)高于第一無機層的CTE并且高于第二無機層的CTE。

實施例可以通過提供一種制造半導體封裝件的方法來實現，所述方法包括：提供支撐基底，使得所述支撐基底包括順序堆疊的第一板、粘結層和第二板；在支撐基底上設置半導體芯片；在支撐基底上形成覆蓋半導體芯片的成型層；去除支撐基底以暴露半導體芯片的底表面，其中，粘結層的熱膨脹系數(CTE)高于第一板的CTE并且高于第二板的CTE。

實施例可以通過提供一種制造半導體封裝件的方法來實現，所述方法包括：提供支撐基底，使得所述支撐基底包括第一無機層、位于第一無機層上的聚合物層和位于聚合物層上的第二無機層；在支撐基底上設置半導體芯片；在支撐基底上形成覆蓋半導體芯片的成型層；去除支撐基底以暴露半導體芯片的底表面，其中，聚合物層的熱膨脹系數(CTE)高于第一無機層的CTE并且高于第二無機層的CTE。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員來說將是明顯的，其中：

圖1示出根據一些實施例的支撐基底的剖視圖；

圖2A至圖2E示出根據一些實施例在制造半導體封裝件的方法中的階段的剖視圖；

圖3A示出根據一些實施例的支撐基底的剖視圖；

圖3B示出在使用圖3A的支撐基底制造半導體封裝件的方法中使成型層硬化的工藝的剖視圖；

圖4A示出根據一些實施例的支撐基底的剖視圖；

圖4B示出在使用圖4A的支撐基底制造半導體封裝件的方法中使成型層硬化的工藝的剖視圖；

圖5A示出根據一些實施例的支撐基底的剖視圖；

圖5B示出在使用圖5A的支撐基底制造半導體封裝件的方法中使成型層硬化的工藝的剖視圖；

圖6A示出根據一些實施例的支撐基底的剖視圖；

圖6B示出在使用圖6A的支撐基底制造半導體封裝件的方法中使成型層硬化的工藝的剖視圖；