[發明專利]支撐基底以及使用支撐基底制造半導體封裝件的方法

有效

• 申請號: 201710041269.8
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107104070B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 崔允碩;金一浩;金昌鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B32B17/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;劉燦強

1.一種支撐基底，所述支撐基底包括：

第一板，包括無機材料；

第二板，位于第一板上并且包括無機材料；以及

粘結層，位于第一板與第二板之間，

其中，粘結層的熱膨脹系數高于第一板的熱膨脹系數并且高于第二板的熱膨脹系數，

第二板中包括的元素與第一板中包括的元素相同，并且

第二板的元素的組成比不同于第一板的元素的組成比。

2.根據權利要求1所述的支撐基底，其中：

第一板的熱膨脹系數高于第二板的熱膨脹系數，并且

第一板的厚度小于第二板的厚度。

3.一種支撐基底，所述支撐基底包括：

第一無機層；

聚合物層，位于第一無機層上；以及

第二無機層，位于聚合物層上，

其中，聚合物層的熱膨脹系數高于第一無機層的熱膨脹系數并且高于第二無機層的熱膨脹系數，

第二無機層的元素與第一無機層的元素相同，并且

第二無機層的元素的組成比不同于第一無機層的元素的組成比。

4.根據權利要求3所述的支撐基底，其中，第一無機層的熱膨脹系數高于第二無機層的熱膨脹系數。

5.根據權利要求4所述的支撐基底，其中，第一無機層的厚度不同于第二無機層的厚度。

6.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：

提供支撐基底，使得所述支撐基底包括順序堆疊的第一板、粘結層和第二板，其中，第一板包括無機材料，第二板包括無機材料；

在支撐基底上設置半導體芯片；

在支撐基底上形成覆蓋半導體芯片的成型層；

去除支撐基底以暴露半導體芯片的底表面，

其中，粘結層的熱膨脹系數高于第一板的熱膨脹系數并且高于第二板的熱膨脹系數，

第二板中包括的元素與第一板中包括的元素相同，并且

第二板的元素的組成比不同于第一板的元素的組成比。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，第一板的熱膨脹系數高于第二板的熱膨脹系數。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，

支撐基底具有面對半導體芯片的頂表面以及與頂表面相對的底表面，并且

粘結層與支撐基底的底表面之間的距離小于粘結層與支撐基底的頂表面之間的距離。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，第一板的厚度基本等于第二板的厚度。

10.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括在去除支撐基底之后在半導體芯片的底表面上形成基底，

其中，所述基底包括絕緣圖案和設置在絕緣圖案之間的導電圖案。

11.根據權利要求6所述的方法，其中，形成成型層的步驟包括：

在支撐基底上設置成型材料，以覆蓋半導體芯片；以及

使成型材料硬化。

12.一種根據權利要求6所述的方法制備的半導體封裝件。

13.一種根據權利要求7所述的方法制備的半導體封裝件。

14.一種根據權利要求8所述的方法制備的半導體封裝件。

15.一種根據權利要求9所述的方法制備的半導體封裝件。

16.一種根據權利要求10所述的方法制備的半導體封裝件。

17.一種根據權利要求11所述的方法制備的半導體封裝件。