[發明專利]具有用于高速和低電壓的雙位存儲的高密度ROM單元

有效

• 申請號: 201710041237.8
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN107045880B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 拉雅·科利;帕特里克·范德施蒂格;杰瓦蘭特·庫馬爾·米什拉;潘卡吉·阿加瓦爾
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

本發明公開一種ROM存儲器，所述ROM存儲器包括：第一位單元，所述第一位單元包括存儲兩個位的晶體管以及讀取存儲在所述位單元中的數據的第一位線和第二位線；第二位單元，所述第二位單元包括連接到所述第一晶體管并且共享所述第一位線與所述第二位線的第二晶體管；以及鄰近所述位線的虛擬接地線，所述虛擬接地線被配置成使所述位單元接地。

技術領域

本文所公開的各種實施例大體上涉及單晶體管只讀存儲器(ROM)位單元和讀取存儲在所述單晶體管ROM位單元中的數據的方法。

背景技術

掩模型只讀存儲器(掩模型ROM)為其中在制造過程期間對數據進行編碼的半導體存儲器裝置。存在各種類型的制造工藝對掩模型ROM進行編程，例如擴散、金屬化和通路處理。在擴散處理中，在擴散過程期間在半導體襯底中對掩模型ROM進行編程。在嵌入式金屬可編程ROM中，在金屬/金屬化過程期間對ROM數據進行編程。在與嵌入式金屬可編程ROM類似的通路可編程ROM中，在通路形成過程期間對ROM數據代碼進行編程。

發明內容

各種實施例的簡要概述在下文呈現。在以下概述中可以做出一些簡化和省略，所述概述意圖突出且引入各種實施例的一些方面，但不限制本發明的范圍。在稍后的章節中將描述足以讓本領域的普通技術人員能獲得且使用本發明性概念的實施例的詳細描述。

本文所描述的各種實施例包括ROM存儲器裝置，所述ROM存儲器裝置包括第一位單元、第二位單元和虛擬接地線，其中所述第一位單元包括存儲兩個位的第一晶體管和讀取存儲在位單元中的數據的第一位線和第二位線，所述第二位單元包括連接到第一晶體管并且共享第一位線和第二位線的第二晶體管，所述虛擬接地線鄰近位線，被配置成使位單元接地。

虛擬接地產生電路可以被配置成控制位線的極性。

虛擬接地產生電路可以在讀取狀態與功率狀態之間切換第一位線以從第二位線讀取數據。虛擬接地產生電路可以在讀取狀態與功率狀態之間切換第二位線以從第一位線讀取數據。

第一晶體管的源極區可以連接到第二晶體管的漏極區。

第一位單元可包括連接到位線和源極區或漏極區的通路，以表示第一邏輯狀態。

第一位單元可包括連接到位線以及源極區和漏極區的兩個通路，以表示第二邏輯狀態。

第一位單元可以不包括連接到位線以及源極區和漏極區的通路，以表示第二邏輯狀態。

虛擬接地線、第一位線和第二位線中的任意兩個可以接地以從位單元讀取數據。

第一位單元和第二位單元可以一起被讀取以產生十六個不同邏輯組合。

晶體管可以為NMOS晶體管或PMOS晶體管。

裝置可包括復用器，其中從位線讀取的邏輯狀態被多路復用并輸出為單個位值。

本文所描述的各種實施例還可包括制品，所述制品包括至少一個非暫時性有形機器可讀存儲媒體，所述非暫時性有形機器可讀存儲媒體含有用于讀取ROM存儲器裝置的方法的可執行機器指令，所述可執行機器指令包括用于使第一位單元的位線接地的指令、用于將位單元連接到虛擬接地線的指令和用于從第一位單元的第二位線讀取存儲的位值的指令。

指令可包括使用單個第一晶體管將兩個位存儲在第一位單元中。

制品可包括用于使第二位單元的位線接地的指令、用于將第二位單元連接到虛擬接地線的指令；以及用于從第二位單元的第二位線讀取存儲的位值的指令。

指令可包括使用單個第二晶體管將兩個位存儲在第二位單元中。指令可包括將第一晶體管連接到第二晶體管。

指令可包括使用虛擬接地產生電路使位線接地。