[發明專利]具有用于高速和低電壓的雙位存儲的高密度ROM單元

有效

• 申請號: 201710041237.8
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN107045880B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 拉雅·科利;帕特里克·范德施蒂格;杰瓦蘭特·庫馬爾·米什拉;潘卡吉·阿加瓦爾
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

1.一種ROM存儲器裝置，其特征在于，包括：

第一位單元，所述第一位單元包括存儲兩個位的第一晶體管和讀取存儲在所述位單元中的數據的第一位線和第二位線；

第二位單元，所述第二位單元包括連接到所述第一晶體管并且共享所述第一位線與所述第二位線的第二晶體管；以及

鄰近所述位線的虛擬接地線，所述虛擬接地線被配置成使所述位單元接地，

所述的裝置進一步包括被配置成控制所述位線的極性的虛擬接地產生電路，

其中，所述虛擬接地產生電路在讀取狀態與功率狀態之間切換所述第一位線，以從所述第二位線讀取數據。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一晶體管的源極區連接到所述第二晶體管的漏極區。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一位單元包括連接到位線和源極區或漏極區的通路，以表示第一邏輯狀態。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一位單元包括連接到位線以及源極區和漏極區的兩個通路，以表示第二邏輯狀態。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一位單元不包括連接到位線以及源極區和漏極區的通路，以表示第二邏輯狀態。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述虛擬接地線、所述第一位線和所述第二位線中的任意兩個接地以從位單元讀取數據。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括多路復用器，其中從所述位線讀取的邏輯狀態被多路復用并輸出為單個位值。