[發明專利]光檢測裝置以及光檢測系統有效

申請號：	201710040480.8	申請日：	2017-01-19
公開（公告）號：	CN107271057B	公開（公告）日：	2021-04-09
發明（設計）人：	西脅青兒;鳴海建治;鹽野照弘	申請（專利權）人：	松下知識產權經營株式會社
主分類號：	G01J9/02	分類號：	G01J9/02
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司 11021	代理人：	齊秀鳳
地址：	日本國***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	檢測裝置以及系統
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【說明書】：

本申請提供一種光檢測裝置以及光檢測系統。本公開的一形態所涉及的光檢測裝置具備：光檢測器，包含沿著主面配置的多個第1檢測器以及多個第2檢測器；光耦合層，配置在所述光檢測器上或者上方；以及遮光膜，配置在所述光耦合層上。所述光耦合層包含：第1低折射率層；第1高折射率層，配置在所述第1低折射率層上，包含第1光柵；以及第2低折射率層，配置在所述第1高折射率層上。所述遮光膜包含：透光區域、以及與所述透光區域相鄰的遮光區域。所述透光區域與所述多個第1檢測器中包含的兩個以上的第1檢測器對置，所述遮光區域與所述多個第2檢測器中包含的兩個以上的第2檢測器對置。

技術領域

本公開涉及光檢測裝置、光檢測系統以及光檢測方法等。

背景技術

光為電磁波，除了波長、強度以外，還以偏振或者干涉性等特性為特征。其中，作為利用光的干涉性來測定被攝體的方法，例如可列舉“光學の原理”(束海大學出版會、p.482、M·ボルンほか)(“光學原理”(東海大學出版社、p.482、M·波恩等))所示的邁克爾遜的干涉儀。

發明內容

本公開的一形態所涉及的光檢測裝置具備：光檢測器，具有主面，包含沿著所述主面配置的多個第1檢測器以及多個第2檢測器；光耦合層，配置在所述光檢測器上或者上方；以及遮光膜，配置在所述光耦合層上。所述光耦合層包含：第1低折射率層；第1高折射率層，配置在所述第1低折射率層上，包含第1光柵；以及第2低折射率層，配置在所述第1高折射率層上。所述第1高折射率層具有比所述第1低折射率層以及所述第2低折射率層高的折射率。所述遮光膜包含：透光區域、以及與所述透光區域相鄰的遮光區域。所述透光區域與所述多個第1檢測器中包含的兩個以上的第1檢測器對置。所述遮光區域與所述多個第2檢測器中包含的兩個以上的第2檢測器對置。

上述的概括或者具體的形態可以通過系統、方法、集成電路、計算機程序或者記錄介質來實現。或者，也可以通過系統、裝置、方法、集成電路、計算機程序以及記錄介質的任意組合來實現。

附圖說明

圖1A是本公開的研討例所涉及的光檢測系統100的示意圖。

圖1B表示入射至光檢測裝置13所具備的一個透光區域9a的散射光5的情形。

圖2A是在研討例中沿著光入射的方向的面處的光檢測裝置13的剖視圖。

圖2B是表示與研討例中的包含光檢測裝置13所具有的遮光膜9的xy面平行的面的情形的俯視圖。

圖3A是表示研討例中的透光區域9a以及遮光區域9A的圖案的俯視圖。

圖3B是表示研討例中的位于透光區域9a以及遮光區域9A的正下方的檢測器10a、10A的俯視圖。

圖3C是表示研討例中的各構成要素的位置關系的剖視圖。

圖4A是表示研討例中的電磁解析的構成的剖視圖。

圖4B是表示在研討例中單脈沖振蕩的入射光通過光耦合層12并被光檢測器10接收的情形的第1圖。

圖4C是表示在研討例中單脈沖振蕩的入射光通過光耦合層12并被光檢測器10接收的情形的第2圖。