[發(fā)明專利]光檢測(cè)裝置以及光檢測(cè)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710040480.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107271057B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西脅青兒;鳴海建治;鹽野照弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01J9/02 | 分類號(hào): | G01J9/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 齊秀鳳 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 裝置 以及 系統(tǒng) | ||
1.一種光檢測(cè)裝置,具備:
光檢測(cè)器,具有主面,包含沿著所述主面配置的多個(gè)第1檢測(cè)器以及多個(gè)第2檢測(cè)器;
光耦合層,配置在所述光檢測(cè)器上或者上方;以及
遮光膜,配置在所述光耦合層上,
所述光耦合層包含:
第1低折射率層;
第1高折射率層,配置在所述第1低折射率層上,包含第1光柵;以及
第2低折射率層,配置在所述第1高折射率層上,
所述第1高折射率層具有比所述第1低折射率層以及所述第2低折射率層高的折射率,
所述遮光膜包含:透光區(qū)域、以及與所述透光區(qū)域相鄰的遮光區(qū)域,
所述透光區(qū)域與所述多個(gè)第1檢測(cè)器中包含的兩個(gè)以上的第1檢測(cè)器對(duì)置,
所述遮光區(qū)域與所述多個(gè)第2檢測(cè)器中包含的兩個(gè)以上的第2檢測(cè)器對(duì)置,
所述第1光柵包含:多個(gè)溝槽,分別在第1方向上延伸,
在俯視下,
所述第1方向上的所述透光區(qū)域的長(zhǎng)度短于與所述第1方向垂直的第2方向上的所述透光區(qū)域的長(zhǎng)度,
所述第1方向上的所述遮光區(qū)域的長(zhǎng)度短于所述第2方向上的所述遮光區(qū)域的長(zhǎng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)裝置,其中,
在所述遮光膜配備多個(gè)透光區(qū)域,所述多個(gè)透光區(qū)域分別為所述透光區(qū)域,
在所述遮光膜配備多個(gè)遮光區(qū)域,所述多個(gè)遮光區(qū)域分別為所述遮光區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)裝置,其中,
所述光檢測(cè)器還包含:
多個(gè)第1微透鏡,分別配置在所述多個(gè)第1檢測(cè)器之中的對(duì)應(yīng)的第1檢測(cè)器與所述光耦合層之間;以及
多個(gè)第2微透鏡,分別配置在所述多個(gè)第2檢測(cè)器之中的對(duì)應(yīng)的第2檢測(cè)器與所述光耦合層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)裝置,其中,
所述光耦合層還包含:
第3低折射率層,配置在所述第1低折射率層與所述光檢測(cè)器之間;以及
第2高折射率層,配置在所述第3低折射率層與所述第1低折射率層之間,包含第2光柵,
所述第2高折射率層具有比所述第1低折射率層以及所述第3低折射率層高的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)裝置,其中,
所述遮光區(qū)域的兩個(gè)表面之中靠近所述光耦合層的表面具有光反射性。
6.一種光檢測(cè)系統(tǒng),具備:
光檢測(cè)裝置;以及
運(yùn)算電路,與所述光檢測(cè)裝置連接,
所述光檢測(cè)裝置包含:
光檢測(cè)器,具有主面,包含沿著所述主面配置的多個(gè)第1檢測(cè)器以及多個(gè)第2檢測(cè)器;
光耦合層,配置在所述光檢測(cè)器上或者上方;以及
遮光膜,配置在所述光耦合層上,
所述光耦合層包含:
第1低折射率層;
第1高折射率層,配置在所述第1低折射率層上,包含第1光柵;以及
第2低折射率層,配置在所述第1高折射率層上,
所述第1高折射率層具有比所述第1低折射率層以及所述第2低折射率層高的折射率,
所述遮光膜包含:透光區(qū)域、以及與所述透光區(qū)域相鄰的遮光區(qū)域,
所述透光區(qū)域與所述多個(gè)第1檢測(cè)器中包含的兩個(gè)以上的第1檢測(cè)器對(duì)置,
所述遮光區(qū)域與所述多個(gè)第2檢測(cè)器中包含的兩個(gè)以上的第2檢測(cè)器對(duì)置,
所述第1光柵包含:多個(gè)溝槽,分別在第1方向上延伸,
在俯視下,
所述第1方向上的所述透光區(qū)域的長(zhǎng)度短于與所述第1方向垂直的第2方向上的所述透光區(qū)域的長(zhǎng)度,
所述第1方向上的所述遮光區(qū)域的長(zhǎng)度短于所述第2方向上的所述遮光區(qū)域的長(zhǎng)度,
所述運(yùn)算電路在將由所述兩個(gè)以上的第1檢測(cè)器檢測(cè)的光量之和設(shè)為第1光量且將由所述兩個(gè)以上的第2檢測(cè)器檢測(cè)的光量之和設(shè)為第2光量時(shí),輸出從下述組之中選擇的至少一個(gè)信號(hào),該組構(gòu)成為包括:
第1信號(hào),表示所述第2光量相對(duì)于所述第1光量的比;
第2信號(hào),表示所述第1光量相對(duì)于所述第1光量與所述第2光量之和的比例;以及
第3信號(hào),表示所述第2光量相對(duì)于所述第1光量與所述第2光量之和的比例。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社,未經(jīng)松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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