[發明專利]一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法

有效

• 申請號: 201710039408.3
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106651060B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 蔣有錄;胡洪瑾;劉景東;劉華;趙凱
• 申請（專利權）人: 中國石油大學(華東)
• 主分類號: G06Q10/04
• 分類號: G06Q10/04;G06Q50/02
• 代理公司: 37256 青島清泰聯信知識產權代理有限公司
• 代理人: 張潔<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

選取影響因素：選取與斷控天然氣藏富集程度相關的六個地質因素，分別為源巖-斷層接觸處平均生氣強度X₁、源巖-斷層接觸面積X₂、成藏期源-儲剩余壓力差X₃、天然氣縱向運移距離X₄、斷層傾角余弦值X₅、保存條件參數X₆；

分析單因素相關性：選取多個屬于同一構造背景、相同類型的已探明斷控天然氣藏為樣本氣藏，分別獲取多個樣本氣藏對應的源巖-斷層接觸處平均生氣強度X₁、源巖-斷層接觸面積X₂、成藏期源-儲剩余壓力差X₃、天然氣縱向運移距離X₄、斷層傾角余弦值X₅、保存條件參數X₆以及樣本氣藏的富集程度參數的數據，分別繪制六個因素與富集程度的散點圖，通過擬合函數獲得單因素與富集程度的關系式：F_i＝D(X_i)，i＝1,2,……,6；

建立預測模型：將獲得的六個單因素與富集程度的關系式通過多元線性回歸法建立斷控天然氣藏富集程度的多因素預測模型:

其中，a_i為權重系數，通過多元線性回歸法獲得；

選擇勘探潛力區：初選勘探潛力區，獲取初選潛力區對應的源巖-斷層接觸處平均生氣強度X₁、源巖-斷層接觸面積X₂、成藏期源-儲剩余壓力差X₃、天然氣縱向運移距離X₄、斷層傾角余弦值X₅、保存條件參數X₆的數據，代入所述多因素預測模型計算得到每個初選潛力區的富集程度，選擇其中富集程度高的地區作為重點勘探潛力區；

所述富集程度參數為儲量；

所述保存條件參數X₆采用斷接厚度參數表征，通過對斷接厚度分類賦值的方法獲得；賦值方法為：按照斷接厚度大小對蓋層進行分類，A類：h>500m、B類：h＝500-300m、C類：h＝300-100m、D類：h＝100-40m、E類：h＝0-40m，分別對五類蓋層的保存條件系數X₆進行賦值，A類：X₆＝4、B類：X₆＝3、C類：X₆＝2、D類：X₆＝1、E類：X₆＝0。

2.根據權利要求1所述的定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法，其特征在于：所述源巖-斷層接觸處平均生氣強度X₁通過將烴源巖層與斷層的接觸處分成若干小段，由每一小段處的生氣強度相加求平均獲得。