[發明專利]一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法

有效

• 申請號: 201710039408.3
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106651060B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 蔣有錄;胡洪瑾;劉景東;劉華;趙凱
• 申請（專利權）人: 中國石油大學(華東)
• 主分類號: G06Q10/04
• 分類號: G06Q10/04;G06Q50/02
• 代理公司: 37256 青島清泰聯信知識產權代理有限公司
• 代理人: 張潔<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本發明提出一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法，屬于氣田勘探技術領域，包括以下步驟：選取與斷控天然氣藏富集程度相關的六個地質因素：源巖?斷層接觸處平均生氣強度、源巖?斷層接觸面積、成藏期源?儲剩余壓力差、天然氣縱向運移距離、斷層傾角余弦值、保存條件參數；選取多個已探明氣藏，獲取其對應的六個因素和富集程度參數，繪制散點圖，通過擬合函數獲得單因素與富集程度的關系式；將獲得的關系式通過多元線性回歸建立斷控天然氣藏富集程度的多因素預測模型；初選勘探潛力區，獲取其對應的六個因素數據，結合多因素預測模型進行勘探潛力區的選擇。本發明建立了多因素綜合預測模型，能夠有效提高斷控天然氣藏富集程度的定量評價精度。

技術領域

本發明屬于氣田勘探技術領域，尤其涉及一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法。

背景技術

斷控天然氣藏是指以斷層為主要輸導通道的烴源巖層系外圈閉中聚集形成的下生上儲式天然氣藏，目前中國東部盆地發現的氣藏多數屬于此類。評價斷控天然氣藏富集程度的傳統方法，主要是基于氣田勘探實踐結果，對生、運、儲、聚、散等成藏要素與天然氣富集之間的關系進行剖析，從而對斷控天然氣藏富集程度及控制因素進行宏觀定性分析。然而，隨著氣田勘探程度的不斷提高，傳統的定性分析已不能滿足現今天然氣藏精細勘探的要求，因此，迫切需要能夠定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法。

近十年來，越來越多的學者致力于天然氣藏富集程度的單一影響因素的半定量和定量化分析。例如：孫明亮分別對蓋層厚度和蓋層排替壓力兩個因素進行了單一因素的定量分析，公開了一組形成天然氣藏的定量指標，具體的：形成中效天然氣藏需要蓋層厚度大于40m、蓋層排替壓力大于15MPa，而形成高效天然氣藏則需要厚度超過100m的直接蓋層、蓋層排替壓力不應小于20MPa。此外，柳廣弟根據對典型氣藏的解剖和大量氣田的統計，指出天然氣的成藏過程主要受氣藏成藏期的源-儲剩余壓力差、輸導體系的類型和輸導效率、蓋層厚度和排替壓力等幾方面因素的控制，并對這些因素分別進行了單一因素的定量分析，得到的指標為：形成中、高效氣藏需要成藏期的源-儲剩余壓力差大于25MPa，輸導體系為匯聚型，蓋層厚度大于40m，排替壓力大于15MPa。

然而，現有技術中的這些半定量和定量化分析仍局限于單一因素的定量化分析，由于斷控天然氣藏所處的地質環境復雜，其富集程度是由多種成藏要素共同控制的結果，且不同因素的影響貢獻存在差異，因而這種單一因素的定量評價精度低，不能有效指導斷控天然氣藏的勘探。因此，如何提供一種多因素綜合預測模型，提高斷控天然氣藏富集程度的定量評價精度，是當前急需解決的一項技術難題。

發明內容

本發明針對上述的現有斷控天然氣藏富集程度的定量評價方法局限于單一因素、評價精度低的技術問題，提出一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法，建立了多因素綜合預測模型，能夠有效提高斷控天然氣藏富集程度的定量評價精度。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種定量評價斷控天然氣藏富集程度的方法，包括以下步驟：

選取影響因素：選取與斷控天然氣藏富集程度相關的六個地質因素，分別為源巖-斷層接觸處平均生氣強度X₁、源巖-斷層接觸面積X₂、成藏期源-儲剩余壓力差X₃、天然氣縱向運移距離X₄、斷層傾角余弦值X₅、保存條件參數X₆；