[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓的切割工藝及晶圓的生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710039006.3
• 申請(qǐng)日: 2017-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106816412B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王斌;張樹(shù)寶;宋美麗;姜舫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 郭俊霞

本發(fā)明提供了一種晶圓的切割工藝及晶圓的生產(chǎn)方法，涉及半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：(a)提供晶圓，所述晶圓包括正面和與正面相對(duì)應(yīng)的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定環(huán)上，且所述底膜的外緣大于所述固定環(huán)的外緣；(c)貼膜，將所述晶圓的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圓的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圓，以將所述晶圓切割成多個(gè)晶粒，且多個(gè)晶粒分別粘附于底膜上，解決了現(xiàn)有晶圓切割工藝需要其它附屬工具將底膜固定，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到了利用底膜邊緣與固定環(huán)外緣的容差進(jìn)行擴(kuò)膜固定，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本的技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種晶圓的切割工藝及晶圓的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著光電產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，高集成和高性能的半導(dǎo)體晶圓需求也越來(lái)越大，為了大幅度節(jié)約成本和提高制造效率，在大批量生產(chǎn)中往往在晶圓上沉積集成電路芯片或電路元件結(jié)構(gòu)，然后再分割成各個(gè)晶粒，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此，晶圓切割工藝對(duì)提高成品率和封裝效率有著重要影響。

現(xiàn)有的晶圓切割工藝是將晶圓粘附于固定在固定環(huán)上的底膜后再進(jìn)行切割，之后再進(jìn)行擴(kuò)膜，以將晶粒取出，進(jìn)行后續(xù)的封裝工序。在進(jìn)行擴(kuò)膜時(shí)，需要通過(guò)其它的附屬工具將底膜固定在擴(kuò)膜機(jī)上，才能進(jìn)行擴(kuò)膜生產(chǎn)，過(guò)程繁瑣，耗費(fèi)了大量的人力和物力，導(dǎo)致晶圓的生產(chǎn)效率很低，生產(chǎn)成本很高。

有鑒于此，特提出本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種晶圓的切割工藝，以緩解現(xiàn)有的晶圓切割工藝中，在進(jìn)行擴(kuò)膜時(shí)，需要通過(guò)其它的附屬工具將底膜固定在擴(kuò)膜機(jī)上才能進(jìn)行擴(kuò)膜生產(chǎn)，過(guò)程繁瑣，耗費(fèi)了大量的人力和物力，導(dǎo)致晶圓的生產(chǎn)效率很低，生產(chǎn)成本很高的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供的晶圓的切割工藝，包括如下步驟：

(a)提供晶圓，所述晶圓包括正面和與正面相對(duì)應(yīng)的背面；

(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定環(huán)上，且所述底膜的邊緣大于所述固定環(huán)的外緣；

(c)貼膜，將所述晶圓的背面粘附于所述底膜上；

(d)切割，自晶圓的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圓，以將所述晶圓切割成多個(gè)晶粒，且多個(gè)晶粒分別粘附于底膜上。

進(jìn)一步的，所述晶圓的切割工藝還包括設(shè)置于步驟(d)之后的步驟(e)擴(kuò)膜，以將多個(gè)晶粒之間的距離拉大，將晶粒取出。

進(jìn)一步的，在步驟(e)中，將粘附有晶粒的底膜固定于擴(kuò)膜機(jī)載臺(tái)上進(jìn)行擴(kuò)膜。

進(jìn)一步的，在步驟(d)中，采用刀片或激光對(duì)所述晶圓進(jìn)行切割。

進(jìn)一步的，所述晶圓的正面設(shè)置有切割道，所述刀片或激光沿所述切割道進(jìn)行切割。

進(jìn)一步的，在步驟(c)中，所述晶圓與所述固定環(huán)共圓心，且所述固定環(huán)的外緣大于所述晶圓的邊緣。

進(jìn)一步的，所述晶圓的切割工藝還包括設(shè)置于步驟(d)和步驟(e)之間的步驟(s)針測(cè)，將多個(gè)所述晶粒分別進(jìn)行電性能測(cè)試，將不合格的晶粒進(jìn)行標(biāo)記。

進(jìn)一步的，所述底膜的厚度為0.08～0.12mm，所述底膜為切割膠帶、藍(lán)膜或白膜。

進(jìn)一步的，所述固定環(huán)的材質(zhì)為不銹鋼。

本發(fā)明的目的之二在于還提供了一種晶圓的生產(chǎn)方法，以緩解現(xiàn)有的晶圓切割工藝中，在進(jìn)行擴(kuò)膜時(shí)，需要通過(guò)其它的附屬工具將底膜固定在擴(kuò)膜機(jī)上才能進(jìn)行擴(kuò)膜生產(chǎn)，過(guò)程繁瑣，耗費(fèi)了大量的人力和物力，導(dǎo)致晶圓的生產(chǎn)效率很低，生產(chǎn)成本很高的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供的晶圓的生產(chǎn)方法，包括本發(fā)明提供的晶圓的切割工藝。