[發明專利]晶圓的切割工藝及晶圓的生產方法

有效

• 申請號: 201710039006.3
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106816412B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 王斌;張樹寶;宋美麗;姜舫
• 申請（專利權）人: 吉林麥吉柯半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 郭俊霞

1.一種晶圓的切割工藝，其特征在于，包括如下步驟：

(a)提供晶圓，所述晶圓包括正面和與正面相對應的背面；

(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定環上，且所述底膜的邊緣大于所述固定環的外緣；

(c)貼膜，將所述晶圓的背面粘附于所述底膜上；

(d)切割，自晶圓的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圓，以將所述晶圓切割成多個晶粒，且多個晶粒分別粘附于底膜上；

還包括設置于步驟(d)之后的步驟(e)擴膜，以將多個晶粒之間的距離拉大，將晶粒取出；

所述底膜為正方形或圓形，且底膜與固定環共中心，若底膜為正方形時，底膜的邊長大于固定環外緣的直徑，若底膜為圓形時，底膜的直徑大于固定環外緣的直徑；

所述底膜的邊緣與固定環的外緣之間只有一定的容差，能夠直接將粘附有晶粒的底膜的邊緣固定于擴膜機的載臺上進行擴膜操作，而無需使用其它輔助工具進行固定。

2.根據權利要求1所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，在步驟(e)中，將粘附有晶粒的底膜固定于擴膜機載臺上進行擴膜。

3.根據權利要求1所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，在步驟(d)中，采用刀片或激光對所述晶圓進行切割。

4.根據權利要求3所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，所述晶圓的正面設置有切割道，所述刀片或激光沿所述切割道進行切割。

5.根據權利要求1所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，在步驟(c)中，所述晶圓與所述固定環共圓心，且所述固定環的外緣大于所述晶圓的邊緣。

6.根據權利要求1所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，還包括設置于步驟(d)和步驟(e)之間的步驟(s)針測，將多個所述晶粒分別進行電性能測試，將不合格的晶粒進行標記。

7.根據權利要求1～6任一項所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，所述底膜的厚度為0.08～0.12mm，所述底膜為切割膠帶、藍膜或白膜。

8.根據權利要求1～6任一項所述的晶圓的切割工藝，其特征在于，所述固定環的材質為不銹鋼。

9.一種晶圓的生產方法，其特征在于，包括權利要求1～8任一項所述的晶圓的切割工藝。