[發(fā)明專利]一種硅的深溝槽形成方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710038632.0
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN106876322A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒浩;丁振宇;夏愛華;劉志攀;陳幸
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311;H01L29/06
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11212
• 代理人: 楊立,陳璐

1.一種硅的深溝槽形成方法,其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在半導(dǎo)體硅晶片上沉積硬質(zhì)掩膜層；

步驟2，對所述硬質(zhì)掩膜層的預(yù)設(shè)區(qū)域進行刻蝕直到露出所述半導(dǎo)體硅晶片，在所述硬質(zhì)掩膜層中形成至少一個縱切面為倒梯形的圖形；

步驟3，以所述硬質(zhì)掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體硅晶片,在所述半導(dǎo)體硅晶片中與所述縱切面為倒梯形圖形對應(yīng)位置形成深溝槽；

步驟4，去除所述硬質(zhì)掩膜層，直至露出半導(dǎo)體硅晶片的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟1中，所述硬質(zhì)掩膜層為PETEOS薄膜或氮化硅薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟1中，當(dāng)所述硬質(zhì)掩膜層為PETEOS薄膜時，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法沉積所述PETEOS薄膜；或者當(dāng)所述硬質(zhì)掩膜層為氮化硅薄膜時，采用低壓化學(xué)氣相沉積方法沉積所述氮化硅薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟2中,采用干法刻蝕方法在所述硬質(zhì)掩膜層中形成所述至少一個縱切面為倒梯形的圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟3中，采用干法刻蝕方法在所述半導(dǎo)體硅晶片中形成所述深溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，所述倒梯形圖形的底部寬度范圍為35nm～100nm，所述倒梯形圖形頂部寬度范圍為125nm～200nm，所述倒梯形圖形的高度范圍為250nm～350nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，所述深溝槽的寬度范圍為70nm～90nm，所述深溝槽的深度范圍為2000nm～2500nm。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括半導(dǎo)體硅晶片和利用權(quán)利要求1～7任一所述硅的深溝槽形成方法在所述半導(dǎo)體硅晶片上形成的深溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深溝槽的寬度范圍為70nm～90nm，所述深溝槽的深度范圍為2000nm～2500nm。

10.一種背照式CMOS傳感器，其特征在于，包括權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。