[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710037590.9
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN108321207B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 陳江博;李全虎;方金鋼
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;李崢

本發明實施例涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。所述制備方法包括：在襯底上形成有源層；在所述有源層和所述襯底的暴露表面上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第一導電層；構圖所述第一導電層和所述絕緣層以在所述有源層上形成包括所述第一導電層的第一部分和所述絕緣層的第一部分的第一疊層；以及對所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區進行等離子體處理，以提高所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區的導電性。

技術領域

本發明的實施例涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，氧化物薄膜晶體管具有電子遷移率高、制備溫度低、均一性好等特點，由此越來越受到人們的廣泛使用。

OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極管)顯示器是一種自發光顯示器。按驅動方式可以分為PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，無源矩陣驅動有機發光二極管)顯示器和AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩陣驅動有機發光二極管)顯示器兩種。由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應答速度、省電、工作溫度范圍大等等優點，從而越來越多地被應用于各種高性能顯示領域當中。

發明內容

本發明實施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，能夠提高薄膜晶體管的特性與顯示效果。

在本公開的第一方面中，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成有源層；在所述有源層和所述襯底的暴露表面上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第一導電層；構圖所述第一導電層和所述絕緣層以在所述有源層上形成包括所述第一導電層的第一部分和所述絕緣層的第一部分的第一疊層，所述第一疊層作為所述薄膜晶體管的柵極疊層，其中，所述有源層包括位于所述柵極疊層之下的溝道區以及分別位于所述溝道區兩側的源極區和漏極區；以及對所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區進行等離子體處理，以提高所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區的導電性。

在一個實施例中，所述第一導電層包括導電氧化物；所述有源層包括氧化物半導體材料。

在一個實施例中，所述等離子體處理在所述導電氧化物和所述氧化物半導體材料中產生氧空位。

在一個實施例中，所述等離子體處理使用氬等離子體或氦等離子體。

在一個實施例中，所述有源層的厚度為10nm至100nm；所述第一導電層的厚度為50nm至400nm。

在一個實施例中，所述導電氧化物包括銦錫氧化物和摻雜鎵的氧化鋅中的至少一者；所述氧化物半導體材料包括銦鎵鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中的至少一者。

在一個實施例中，所述等離子體處理包括氦等離子體處理，反應條件為：氦氣流量為100-500sccm；壓力為10-100Pa；功率為200-1000W；處理時間為5-300s。

在一個實施例中，所述反應條件為：氦氣流量為200sccm；壓力為50Pa；功率為600W；處理時間為40s。

在一個實施例中，所述薄膜晶體管的制備方法還包括：在形成所述有源層之前，在所述襯底上形成遮光層；以及在所述襯底和所述遮光層上形成緩沖層。

在一個實施例中，所述遮光層包括半導體材料，其中，所述半導體材料的禁帶寬度低于所述有源層的禁帶寬度。

在一個實施例中，所述遮光層包括銦鎵鋅氧化物，所述有源層包括銦鎵鋅氧化物，其中，所述遮光層的氧含量低于所述有源層的氧含量。

在一個實施例中，所述緩沖層包括氧化硅。