[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710037590.9
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN108321207B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 陳江博;李全虎;方金鋼
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;李崢

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成有源層；

在所述有源層和所述襯底的暴露表面上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成第一導電層；

構圖所述第一導電層和所述絕緣層以在所述有源層上形成包括所述第一導電層的第一部分和所述絕緣層的第一部分的第一疊層，所述第一疊層作為所述薄膜晶體管的柵極疊層，其中，所述有源層包括位于所述柵極疊層之下的溝道區以及分別位于所述溝道區兩側的源極區和漏極區；以及

對所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區進行等離子體處理，以提高所述第一導電層以及所述源極區和所述漏極區的導電性。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層包括導電氧化物；所述有源層包括氧化物半導體材料。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體處理在所述導電氧化物和所述氧化物半導體材料中產生氧空位。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體處理使用氬等離子體或氦等離子體。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述有源層的厚度為10nm至100nm；所述第一導電層的厚度為50nm至400nm。

6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述導電氧化物包括銦錫氧化物和摻雜鎵的氧化鋅中的至少一者；所述氧化物半導體材料包括銦鎵鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中的至少一者。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體處理包括氦等離子體處理，反應條件為：氦氣流量為100-500sccm；壓力為10-100Pa；功率為200-1000W；處理時間為5-300s。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述反應條件為：氦氣流量為200sccm；壓力為50Pa；功率為600W；處理時間為40s。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在形成所述有源層之前，在所述襯底上形成遮光層；以及

在所述襯底和所述遮光層上形成緩沖層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層包括半導體材料，其中，所述半導體材料的禁帶寬度低于所述有源層的禁帶寬度。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述遮光層包括銦鎵鋅氧化物，所述有源層包括銦鎵鋅氧化物，其中，所述遮光層的氧含量低于所述有源層的氧含量。

12.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層包括氧化硅。

13.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述構圖還包括在鄰近所述有源層的所述襯底上形成包括所述第一導電層的第二部分和所述絕緣層的第二部分的第二疊層，以及所述等離子體處理還處理所述第一導電層的第二部分。

14.根據權利要求14所述的制備方法，其特征在于，還包括：

形成層間絕緣層以覆蓋所述襯底、所述有源層、所述第一疊層以及所述第二疊層；

構圖所述層間絕緣層以在所述層間絕緣層中同時形成暴露所述源極區的第一過孔、暴露所述漏極區的第二過孔、以及暴露所述第二疊層中的所述第一導電層的所述第二部分的第三過孔；

在所述層間絕緣層上形成第二導電層以填充所述第一至第三過孔；

構圖所述第二導電層以形成經由所述第一過孔連接到所述源極區的第一襯墊、經由所述第二過孔連接到所述漏極區的第二襯墊以及經由所述第三過孔連接到所述第一導電層的所述第二部分的第三襯墊；以及

在所述層間絕緣層和所述第一至第三襯墊上形成鈍化層。