[發(fā)明專利]一種以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710036803.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106893976A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王海燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市佳乾新材料科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將氧化鎂粉末加入大理石研磨器中，加入研磨球，以180-280rpm的速度旋轉(zhuǎn)研磨，每隔30min轉(zhuǎn)換研磨方向，研磨12-16h后，粉末取出，過(guò)篩，將過(guò)篩后的粉末進(jìn)行冷等靜壓(CIP)成型，制得壓坯，將壓坯在520℃首先進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，之后抽真空升溫進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)完成后，制得高純致密氧化鎂材料；

(2)以上一步驟制得的高純致密氧化鎂材料為靶材，在直流磁控濺射裝置的反應(yīng)室中放入清洗過(guò)的襯底，抽真空至真空度＜1Pa后，加熱襯底至450-550℃，通入Ar氣，控制反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)為1-3Pa，在90-110W功率下進(jìn)行MgO薄膜的生長(zhǎng)，反應(yīng)完成后降至室溫，通入大氣，取出MgO薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：所述原料氧化鎂粉末為純度高于99.99％，雜質(zhì)元素總含量小于100ppm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：研磨球?yàn)檠趸喲心デ颍瑸橹睆?mm和直徑1mm的等質(zhì)量混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：研磨球與氧化鎂粉末的投入量質(zhì)量比為1:(2-4)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：步驟(1)中過(guò)篩，篩孔徑為300-400目。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：所述燒結(jié)過(guò)程中溫度控制為：在600℃以下，升溫速率為20℃/min，超過(guò)600℃后升溫速率為65℃/min，升至1400℃后，保持溫度10min，之后按照30℃/min的速率降低溫度至常溫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以高純致密氧化鎂為靶材制備MgO薄膜的方法，其特征在于：所述襯底為硅或二氧化硅。