[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管單元的中介結構及其制造方法

有效

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• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106816408B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 吳宗典;張正杰;羅國隆;林炳昌
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/15
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;許志影

本發(fā)明公開了一種微型發(fā)光二極管的中介結構的制造方法。形成微型發(fā)光二極管于生長基板上。提供傳遞基板并形成犧牲層于傳遞基板上。接著，將微型發(fā)光二極管與傳遞基板。去除傳遞基板上的至少部分犧牲層，以使微型發(fā)光二極管與傳遞基板之間存在間隙。未去除的犧牲層暫時將微型發(fā)光二極管固定于傳遞基板上。

技術領域

本發(fā)明是有關于一種光電元件及其制造方法，且特別是有關于一種微型發(fā)光二極管單元的中介結構及其制造方法與微型發(fā)光二極管單元及其制造方法與微型發(fā)光二極管裝置。

背景技術

現有的微型發(fā)光二極管中介結構制造的過程中，往往需要使用精密度極高且昂貴的轉置吸頭，造成量產不易且制作成本過高。而且一般的微型發(fā)光二極管中介結構制造方法更需要多次的轉置動作。多次轉置動作耗工耗時，且不利于微型發(fā)光二極管單元的制造良率。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管裝置、微型發(fā)光二極管單元及其制造方法以及微型發(fā)光二極管單元的中介結構及其制造方法，其制程精簡。

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管單元及其制造方法以及微型發(fā)光二極管單元的中介結構及其制造方法，其良率高。

本發(fā)明的微型發(fā)光二極管的中介結構的制造方法，包括下列步驟。提供半導體結構，半導體結構包括依序堆疊于生長基板內表面上的多層半導體層以及第一犧牲層，其中，多層半導體層包括第一型半導體層、與第一型半導體層極性相反的第二型半導體層。提供承載結構，承載結構包括傳遞基板以及覆蓋傳遞基板內表面上的第二犧牲層。接合半導體結構的第一犧牲層與承載結構的第二犧牲層，其中，在第一犧牲層與第二犧牲層接合后，第一犧牲層位于多層半導體層與第二犧牲層之間。移除半導體結構的生長基板。分別圖案化第一型半導體層與第二型半導體層，以形成多個第一型半導體圖案與多個第二型半導體圖案。形成彼此分離的多個絕緣圖案，絕緣圖案覆蓋對應的第二型半導體圖案。形成多個第一電極以及多個第二電極，其中，第一電極位于對應的第一型半導體圖案上，第二電極位于對應的第二型半導體圖案上，第二型半導體圖案、對應的第一型半導體圖案、對應的第一電極以及對應的第二電極構成多個微型發(fā)光二極管。移除至少部份的第一犧牲層、至少部份的第二犧牲層或至少部份前述二者的堆疊層，以使每一微型發(fā)光二極管與傳遞基板之間存在間隙，而微型發(fā)光二極管通過絕緣圖案的多個連接部與傳遞基板連接。

本發(fā)明的微型發(fā)光二極管單元的中介結構包括傳遞基板、多個微型發(fā)光二極管及多個絕緣圖案。多個微型發(fā)光二極管陣列排列于傳遞基板的內表面上。各微型發(fā)光二極管包括多層半導體圖案、第一電極以及第二電極。多層半導體圖案至少包含第一型半導體圖案以及與第一型半導圖案極性相反的第二型半導圖案，其中，第一型半導體圖案在傳遞基板上的垂直投影面積超出第二型半導體圖案在傳遞基板上的垂直投影面積。第一電極位于第一型半導體圖案上。第二電極位于第二型半導體圖案上。多個絕緣圖案覆蓋對應的微型發(fā)光二極管。絕緣圖案具有多個連接部。微型發(fā)光二極管通過連接部與傳遞基板連接。各微型發(fā)光二極管與傳遞基板之間存在間隙。多個絕緣圖案相互分隔。

本發(fā)明的微型發(fā)光二極管單元包括多層半導體圖案、絕緣圖案、第一電極與第二電極。多層半導體圖案至少包含第一型半導體圖案以及與第一型半導圖案極性相反的第二型半導體。第一型半導體圖案在第二型半導體圖案上的垂直投影面積超出第二型半導體圖案的面積。絕緣圖案覆蓋第一型半導體圖案以及第二型半導體圖案，且絕緣圖案具有多個開口。第一電極與一第二電極分別經由開口與第一型半導體圖案及第二型半導體圖案連接。

本發(fā)明的微型發(fā)光二極管裝置包括陣列基板、黏著層以及前述至少一微型發(fā)光二極管單元。陣列基板包含接收基板以及配置于接收基板內表面上的像素陣列層。像素陣列層包含至少一個子像素。黏著層設置于子像素上，且部份覆蓋位于子像素的像素陣列層。微型發(fā)光二極管單元設置于子像素的黏著層上。