[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710036074.4
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106816408B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳宗典;張正杰;羅國隆;林炳昌
• 申請（專利權(quán)）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/15
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;許志影

1.一種微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依序堆疊于一生長基板內(nèi)表面上的多層半導(dǎo)體層以及一第一犧牲層，其中，該多層半導(dǎo)體層包括一第一型半導(dǎo)體層、一與該第一型半導(dǎo)體層極性相反的一第二型半導(dǎo)體層；

提供一承載結(jié)構(gòu)，該承載結(jié)構(gòu)包括一傳遞基板以及覆蓋該傳遞基板內(nèi)表面上的一第二犧牲層；

接合該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該第一犧牲層與該承載結(jié)構(gòu)的該第二犧牲層，其中，在該第一犧牲層與該第二犧牲層接合后，該第一犧牲層位于該多層半導(dǎo)體層與該第二犧牲層之間；

移除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該生長基板；

分別圖案化該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層，以形成多個第一型半導(dǎo)體圖案與多個第二型半導(dǎo)體圖案；

形成彼此分離的多個絕緣圖案，該些絕緣圖案覆蓋對應(yīng)的該些第二型半導(dǎo)體圖案；

形成多個第一電極以及多個第二電極，其中，該些第一電極位于對應(yīng)的該些第一型半導(dǎo)體圖案上，該些第二電極位于對應(yīng)的該些第二型半導(dǎo)體圖案上，該些第二型半導(dǎo)體圖案、對應(yīng)的該些第一型半導(dǎo)體圖案、對應(yīng)的該些第一電極以及對應(yīng)的該些第二電極構(gòu)成多個微型發(fā)光二極管；以及

移除至少部分的該第一犧牲層、至少部分的該第二犧牲層或至少部分的該第一犧牲層與該第二犧牲層的堆疊層，以使每一該發(fā)光二極管與該傳遞基板之間存在一間隙，而該些微型發(fā)光二極管通過該些絕緣圖案的多個連接部與該傳遞基板連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該些絕緣圖案的方法包括：

形成一第一絕緣圖案，于對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體層上，并覆蓋對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁以及對應(yīng)的其中之一該第一型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁；以及

形成一第二絕緣圖案，于對應(yīng)其中之一該第二型半導(dǎo)體層上，并覆蓋對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體層的另一側(cè)壁，且暴露出對應(yīng)的其中之一該第一型半導(dǎo)體層的另一側(cè)壁，

其中，該第一絕緣圖案具有對應(yīng)的各該連接部，且各該連接部延伸至該第一犧牲層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一犧牲層與該第二犧牲層兩者的其中之一為有機材料層，則另一該第一犧牲層與該第二犧牲層為無機材料層，且該第一犧牲層與該第二犧牲層皆不同于該些絕緣圖案材料，該些絕緣圖案材料選自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除至少部分的該第一犧牲層與至少部分的該第二犧牲層的其中一者，而保留至少部分的該第一犧牲層與至少部分的該第二犧牲層的另一者的方法包括：利用一干式蝕刻工序去除該有機材料層，而保留該無機材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除至少部分的該第一犧牲層與至少部分的該第二犧牲層的一者，而保留至少部分的該第一犧牲層與至少部分的該第二犧牲層的另一者的方法包括：利用一濕式蝕刻工序去除該無機材料層，而保留該有機材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，

在圖案化出該些第二型半導(dǎo)體圖案之后，形成該些絕緣圖案；以及

在形成該些絕緣圖案之后，圖案化出該些第一型半導(dǎo)體圖案，每一該絕緣圖案覆蓋對應(yīng)其中之一個該些第二型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁且暴露出對應(yīng)其中之一個該些第一型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁，而各該連接部延伸形成在對應(yīng)的其中之一該第一型半導(dǎo)體圖案上。