[發(fā)明專利]降低逆向漏電流的SiCMOSFET組件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710035516.3
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN106920834A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 廖奇泊;古一夫;陳俊峰;周雯
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門芯晶亮電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31236
• 代理人: 郭國中

1.一種降低逆向漏電流的SiC MOSFET組件，其特征在于，包括金屬層、絕緣層、源極層、P阱、多晶硅層、柵極絕緣層、P型植入?yún)^(qū)、N型碳化硅基板、N型漏極層，N型漏極層位于N型碳化硅基板的底端，柵極絕緣層、P型植入?yún)^(qū)都位于N型碳化硅基板的頂端，P型植入?yún)^(qū)位于P阱的下方，源極層、P阱都位于柵極絕緣層的側(cè)面，源極層位于P阱的上方，多晶硅層位于柵極絕緣層內(nèi)，源極層、多晶硅層、柵極絕緣層都位于絕緣層的下方，絕緣層位于金屬層內(nèi)。

2.一種降低逆向漏電流的SiC MOSFET組件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，N型漏極層位于N型基板的底端，在N型基板上沉積N型SiC，形成N型碳化硅基板；

步驟二，曝光顯影后進行SiC蝕刻及P型離子植，在這里P型參雜濃度必須大于N型的SiC濃度，形成P型植入?yún)^(qū)；

步驟三，P型硅沉積，形成P阱；

步驟四，柵極溝槽曝光顯影及蝕刻，形成柵極溝槽結(jié)構(gòu)；

步驟五，蝕刻及光阻去除后沉積薄層N型多晶硅及氧化，形成柵極絕緣層；

步驟六，N型多晶硅沉積及回蝕刻，形成多晶硅層；

步驟七，源極N型重摻雜離子植入，形成源極層；

步驟八，介電層沉積及連接處曝光顯影及蝕刻，形成絕緣層；

步驟九，金屬層沉積曝光顯影及蝕刻，形成金屬層。