[發明專利]功能水制造裝置以及功能水制造方法

有效

• 申請號: 201710035366.6
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN107021557B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 自在丸隆行;王暉;黃斗鐵
• 申請（專利權）人: 野村微科學股份有限公司;盛美半導體設備(上海)有限公司;HJS工程有限公司
• 主分類號: C02F1/68
• 分類號: C02F1/68;B01F21/00;B01F23/23;C02F103/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

實施方式的功能水制造裝置具備：壓力調整閥，將超純水的水壓調整為大致恒定的壓力；供水泵，對利用上述壓力調整閥調整了壓力的超純水進行加壓，并能夠調整加壓量；溶解裝置，使賦予特定的功能的功能性氣體溶解于利用上述供水泵加壓后的超純水中；以及控制裝置，基于溶解有上述功能性氣體的功能水的水壓或者流量，將上述供水泵的排出壓控制為規定的恒定的壓力。

技術領域

本發明涉及功能水制造裝置以及功能水制造方法。

背景技術

近年來，在超純水中溶解有特定氣體的、所謂的功能水在電子材料清洗用途中的實用性被認可，例如在濕式清洗工序中得以普及。作為使氣體溶解于超純水中的氣體溶解裝置，一般來說使用了具備內置有氣體透過性的膜的組件作為溶解部的裝置。

在氣體溶解裝置中，已知關于氫等的氣體，相對于溶解的氣體的單位流量供給一定流量的超純水，由此以目標濃度高精度地獲得溶解有氣體的功能水。因此，提出了通過控制向溶解裝置的超純水的供給流量與氣體的供給流量、由此將功能水中的氣體的濃度保持為穩定的氣體溶解裝置(例如，參照日本特開2009－82919號公報。)。

這里，使氣體溶解的超純水一般來說由具備一次純水系統與二次純水系統的超純水制造裝置制造。一次純水系統從原水中去除離子性以及非離子性的雜質等而制造一次純水。一次純水被暫時存儲于一次純水容器，并從該一次純水容器導入到二次純水系統。二次純水系統對一次純水進行處理，制造超純水。根據需要，在超純水制造裝置的最后級設置存儲超純水的超純水容器。超純水例如被存儲于該超純水容器，之后被供給到超純水的使用位置(使用點，POU：Point of Use)。上述超純水容器與上述一次純水容器利用回流配管連接。回流配管從上述超純水容器中使超純水向一次純水容器回流。超純水的使用點例如設置于上述回流配管的路徑。

氣體溶解裝置一般來說配設于超純水的使用點。氣體溶解裝置使氣體溶解于從超純水制造裝置供給的超純水中而制造功能水。制造出的功能水被直接供給到功能水的使用點。功能水的使用點是晶圓的清洗裝置等。

這里，有時在連接于超純水制造裝置的回流配管上連接多個使用點。在這種情況下，通常，由超純水制造裝置制造的超純水的水壓被保持為大致恒定，因此供給到各超純水的使用點的超純水的供給壓也分別被保持為大致恒定。

然而，多個超純水的使用點處的超純水的使用量可能會分別獨立地變動。在該情況下，由于其變動的時刻的不同，導致超純水的使用點處的超純水的供給壓變動。例如，在多個超純水的使用點為多個上述清洗裝置的情況下，這多個清洗裝置中的幾個裝置的、清洗周期的停止的時刻重疊的情況下，未停止的裝置中的超純水的供給壓有時大幅度上升。另外，在超純水的使用點的數量較多的情況下，在循環配管的、設于靠下游側的超純水的使用點，容易受到上游側的超純水的使用量的變化的影響，也擔心超純水的供給流量、供給壓的意外的降低。

然而，半導體晶圓的大型化正被推進，作為這種大型化的半導體晶圓的清洗方法，采用了將功能水澆灑于半導體晶圓來清洗的澆灑清洗方法。在進行該澆灑清洗方法的清洗裝置中，通常是控制清洗時間而進行清洗，因此在功能水向清洗裝置的供給壓減少的情況下，有時功能水向半導體晶圓表面的供給量不足、不能進行充分的清洗。

半導體晶圓越是大型，因功能水向半導體晶圓表面的供給量的不足而導致的清洗不足的問題越是變得顯著。具體而言，上述清洗不足的問題在例如直徑200mm以上的大型時尤為顯著。因此，在這種大型的半導體晶圓的清洗中，要求更穩定地將功能水的供給壓保持為恒定。

發明內容

本發明為了解決上述課題而完成，目的在于提供一種能夠穩定地保持功能水的供給壓的功能水制造裝置以及功能水制造方法。