[發明專利]有源柵極之上的柵極觸點結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710034693.X
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN107425065B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: A·J·派特;T·加尼;M·博爾;C·韋布;H·戈麥斯;A·卡佩拉尼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種半導體結構，包括：

襯底之上的柵極電極，所述柵極電極具有底表面，所述柵極電極的所述底表面的第一部分在所述襯底的單晶區域之上，并且所述柵極電極的所述底表面的第二部分在所述襯底的溝槽隔離層之上；

所述襯底的所述單晶區域中、在所述柵極電極的一側的源極區或漏極區；

橫向接近所述柵極電極的所述側的電介質側壁間隔體；

所述柵極電極之上的柵極蝕刻停止層；

溝槽觸點結構，所述溝槽觸點結構位于所述源極區或漏極區上，并且橫向接近所述電介質側壁間隔體；以及

單個導電過孔結構，所述單個導電過孔結構在所述溝槽觸點結構之上并且與所述溝槽觸點結構接觸，在所述電介質側壁間隔體之上，并且在所述柵極電極之上并且與所述柵極電極直接接觸，所述導電過孔結構在所述柵極蝕刻停止層中的開口中，所述開口暴露所述柵極電極的一部分但是不暴露所述柵極電極的所有部分。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述溝槽觸點結構包括鎢。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述導電過孔結構包括鎢。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述導電過孔結構包括粘附層和填料金屬層。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括：

橫向接近所述柵極電極的第二側的第二電介質側壁間隔體，所述第二側與所述柵極電極的所述側相對，其中，所述柵極蝕刻停止層在所述第二電介質側壁間隔體之上。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述電介質側壁間隔體包括氮化硅。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述柵極蝕刻停止層包括氮化硅。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述襯底的所述單晶區域是硅鰭狀物。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括：

在所述溝槽觸點結構的頂部表面上的溝槽帽蓋電介質層，其中，所述溝槽帽蓋電介質層包括不同于所述柵極蝕刻停止層的材料的材料。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括在所述柵極電極與所述襯底的所述單晶區域之間的高-k電介質層。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述單個導電過孔結構是第一單個導電過孔結構，所述半導體結構還包括與所述第一單個導電過孔結構電隔離的第二單個導電過孔結構。