[發明專利]晶片的加工方法有效
| 申請號: | 201710033605.4 | 申請日: | 2017-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN106997866B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 吉田真司;伊藤優作;矢野紘英 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
提供晶片的加工方法,根據粘片膜的粘接不良部位的位置而僅對粘片膜的粘接為良好的芯片進行拾取。一種晶片的加工方法,包含:將在基材帶(11)上隔著糊層(12)層疊粘片膜(13)而成的劃片帶(10)粘貼在晶片(W)的背面上的工序;根據來自劃片帶側的晶片的拍攝圖像對粘片膜的粘接不良部位的位置進行存儲的工序;將晶片分割成帶有粘片膜的芯片的工序;通過紫外線來使劃片帶的糊層硬化的工序;以及根據粘接不良部位的位置而使粘片膜粘接良好的芯片在糊層與粘片膜的邊界處分離而對帶有粘片膜的芯片進行拾取的工序。
技術領域
本發明涉及晶片的加工方法,將晶片分割成各個芯片并形成在芯片的背面上粘貼DAF(Die Attach Film:粘片膜)的帶有DAF的芯片。
背景技術
在芯片接合中,借助一種被稱為DAF的粘接帶將各個芯片粘接在基板等上(例如,參照專利文獻1)。近年來,開發出借助經紫外線硬化的粘合層而使劃片帶與DAF一體化的帶。該帶的DAF側的一個面粘貼在晶片的背面上而作為晶片的分割時的劃片帶來使用。并且在通過劃片將晶片分割成各個芯片之后,通過紫外線照射來使粘合層硬化從而使DAF從劃片帶分離,并在各個芯片的背面僅粘接有DAF的狀態下進行拾取。
專利文獻1:日本特開2014-007332號公報
但是,當在芯片的背面存在損傷或碎屑時,在芯片的背面與DAF之間殘留有氣泡而產生DAF的粘接不良。因此,在通常的芯片接合中,在對粘接有DAF的芯片進行拾取而安裝在基板等上之后,對芯片是否正常粘接進行確認。但是,由于在將芯片安裝在基板等上之后確認芯片的粘接狀態,所以當確認出DAF的粘接不良時,存在芯片相對于基板等的安裝作業和芯片被浪費的問題。
發明內容
本發明是鑒于該點而完成的,其目的在于提供晶片的加工方法,能夠消除存在粘片膜的粘接不良的芯片的安裝作業而提高作業效率。
根據本發明,提供晶片的加工方法,該晶片在由交叉的多條分割預定線劃分出的各區域內分別形成有器件,其中,該晶片的加工方法具有如下的工序:帶粘貼工序,將劃片帶粘貼在晶片的背面上,該劃片帶具有粘片膜和因紫外線的照射而硬化的糊層;存儲工序,在實施了該帶粘貼工序之后,根據從劃片帶側對晶片進行拍攝而得的拍攝圖像,對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態的粘接不良部位的位置進行存儲;分割工序,在實施了該存儲工序之后,將晶片沿著該分割預定線分割成各個芯片并且對粘片膜進行分割;紫外線照射工序,在實施了該分割工序之后,對劃片帶照射紫外線而使該糊層硬化,使粘合力降低;以及拾取工序,在該紫外線照射工序之后,根據在該存儲工序中存儲的位置,使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。
根據該結構,將具有粘片膜和糊層的劃片帶粘貼在晶片的背面上,并根據劃片帶側的晶片的拍攝圖像對粘片膜與晶片之間為未粘接的粘接不良部位的位置進行存儲。然后,在晶片的分割后僅使粘片膜的粘接為良好的芯片在粘片膜與糊層的邊界處分離而對粘接有粘片膜的芯片進行拾取。由于存在粘片膜的粘接不良的芯片不會安裝在基板等上,所以能夠不使芯片的安裝作業和芯片浪費而提高作業效率。
本發明的晶片的其他的加工方法中,該晶片在由交叉的多條分割預定線劃分出的各區域內分別形成有器件,其中,該晶片的加工方法具有如下的工序:晶片分割工序,將晶片沿著該分割預定線分割成各個芯片;帶粘貼工序,在實施了該晶片分割工序之后,將擴展帶粘貼在被分割的晶片的背面上,該擴展帶具有粘片膜和因紫外線的照射而硬化的糊層;存儲工序,在實施了該帶粘貼工序之后,根據從擴展帶側對分割后的晶片進行拍攝而得的拍攝圖像,將芯片之間的分割線去除,并且對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態的粘接不良部位的位置進行存儲;粘片膜分割工序,在實施了該存儲工序之后,按照各個芯片對粘片膜進行分割;紫外線照射工序,在實施了該粘片膜分割工序之后,對擴展帶照射紫外線而使該糊層硬化,使粘合力降低;以及拾取工序,在該紫外線照射工序之后,根據在該存儲工序中存儲的位置,使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





