[發(fā)明專利]晶片的加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710033605.4 | 申請日: | 2017-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN106997866B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吉田真司;伊藤優(yōu)作;矢野紘英 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,該晶片在由交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)分別形成有器件,其中,該晶片的加工方法具有如下的工序:
帶粘貼工序,將劃片帶粘貼在晶片的背面上,該劃片帶具有粘片膜和糊層,該糊層具有能通過紫外線的照射而硬化的性質(zhì);
存儲工序,在實施了該帶粘貼工序之后,根據(jù)從劃片帶側(cè)對晶片進行拍攝而得的拍攝圖像,對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態(tài)的粘接不良部位的位置進行存儲;
分割工序,在實施了該存儲工序之后,將晶片沿著該分割預(yù)定線分割成各個芯片并且對粘片膜進行分割;
紫外線照射工序,在實施了該分割工序之后,對劃片帶照射紫外線而使該糊層硬化,使粘合力降低;以及
拾取工序,在該紫外線照射工序之后,根據(jù)在該存儲工序中存儲的位置,使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。
2.一種晶片的加工方法,該晶片在由交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)分別形成有器件,其中,該晶片的加工方法具有如下的工序:
晶片分割工序,將晶片沿著該分割預(yù)定線分割成各個芯片;
帶粘貼工序,在實施了該晶片分割工序之后,將擴展帶粘貼在被分割的晶片的背面上,該擴展帶具有粘片膜和糊層,該糊層具有能通過紫外線的照射而硬化的性質(zhì);
存儲工序,在實施了該帶粘貼工序之后,根據(jù)從擴展帶側(cè)對分割后的晶片進行拍攝而得的拍攝圖像,將芯片之間的分割線去除并且對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態(tài)的粘接不良部位的位置進行存儲;
粘片膜分割工序,在實施了該存儲工序之后,按照各個芯片對粘片膜進行分割;
紫外線照射工序,在實施了該粘片膜分割工序之后,對擴展帶照射紫外線而使該糊層硬化,使粘合力降低;以及
拾取工序,在該紫外線照射工序之后,根據(jù)在該存儲工序中存儲的位置,使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





