[發明專利]垂直存儲器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201710032615.6 | 申請日: | 2017-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN107017263B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 尹石重;李俊熙;曹盛純 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11551 | 分類號: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 存儲 器件 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及垂直存儲器件及其制造方法。一種垂直存儲器件可以包括:多個字線,其在第一方向上間隔開,其每個在垂直于第一方向的第二方向上延伸并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一寬度;虛設字線,其在最上字線的上方,包括開口并且具有它的在第三方向上有第一寬度的一部分;第一串選擇線(SSL)和第二串選擇線(SSL),其在虛設字線上方,第一SSL和第二SSL沿第一方向在基本相同級處,第一SSL和第二SSL的每個在第三方向上具有比第一寬度更小的第二寬度;以及多個垂直溝道結構,其每個穿過字線、虛設字線以及第一SSL和第二SSL中的一個。
技術領域
示例實施方式涉及垂直存儲器件及其制造方法。更具體地,示例實施方式涉及包括垂直堆疊的柵圖案的垂直存儲器件及其制造方法。
背景技術
為實現高集成度,包括垂直堆疊在襯底的表面上的多個存儲單元的垂直存儲器件已經被研究。在垂直存儲器件中,電信號可以分別被施加到垂直堆疊的存儲單元,并且可以需要用于傳輸電信號的焊墊結構。
發明內容
示例實施方式提供具有改善的電可靠性的垂直存儲器件。
示例實施方式提供制造具有改善的電可靠性的垂直存儲器件的方法。
根據示例實施方式,提供一種垂直存儲器件,其可以包括:多個字線,其在基本垂直于襯底的頂表面的第一方向上彼此間隔開,字線的每個在基本平行于襯底的頂表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于第二方向的第三方向上具有第一寬度;虛設字線,其在字線中最上的字線上方,虛設字線的邊緣部分包括開口,虛設字線的一部分在第三方向上具有第一寬度;在虛設字線上方的第一串選擇線(SSL)和第二串選擇線(SSL),第一SSL和第二SSL在基本相同級處,并且第一SSL和第二SSL的每個在第三方向上具有小于第一寬度的第二寬度;以及多個垂直溝道結構,垂直溝道結構的每個在第一方向上穿過字線、虛設字線以及第一SSL和第二SSL中的一個延伸。
根據示例實施方式,提供一種垂直存儲器件,其可以包括:多個第一柵圖案,其在基本垂直于襯底的頂表面的第一方向上被設置在距襯底的頂表面奇數級處,第一柵圖案的每個在基本平行于襯底的頂表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于第二方向的第三方向上具有第一寬度;多個第二柵圖案,其被設置在第一柵圖案之間在第一方向上距襯底的頂表面偶數級處,第二柵圖案的每個在第三方向上具有第一寬度,并且第二柵圖案的邊緣部分具有暴露下層第一柵圖案的邊緣部分的凹部;第一虛設字線,其在第一柵圖案和第二柵圖案的最上的一個上方,虛設字線的邊緣部分包括開口;第二虛設字線,其在第一虛設字線上方,第二虛設字線的邊緣部分包括凹部和凹陷,凹部暴露第一虛設字線的邊緣部分,凹陷在第二方向上延伸并且與凹部連通,第二虛設字線的一部分在第三方向上具有第一寬度;第一串選擇線(SSL)和第二串選擇線(SSL),其被設置在第二虛設字線上方的基本相同級處,第一SSL和第二SSL的每個具有小于第一寬度的第二寬度;第三串選擇線(SSL)和第四串選擇線(SSL),其分別在第一SSL和第二SSL上方,第三SSL和第四SSL的每個在第三方向上具有第二寬度;以及多個垂直溝道結構,垂直溝道結構的每個在第一方向上穿過字線、第一虛設字線和第二虛設字線、第一SSL和第二SSL中的一個以及第三SSL和第四SSL中的一個延伸。
根據示例實施方式,提供一種垂直存儲器件,其可以包括:第一串選擇線(SSL)和第二串選擇線(SSL),其每個在水平方向上具有第二寬度;切割區域,其被形成在第一SSL和第二SSL之間;第一虛設字線,其在第一SSL和第二SSL下方,第一虛設字線包括在垂直方向上與切割區域部分交疊的開口,并且第一虛設字線的一部分具有在水平方向上大于第二寬度的第一寬度;多個字線,其在第一虛設字線下方;以及垂直溝道結構,其在襯底上,垂直溝道結構的每個在垂直方向上穿過字線、虛設字線以及第一SSL和第二SSL中的一個延伸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





