[發明專利]垂直存儲器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201710032615.6 | 申請日: | 2017-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN107017263B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 尹石重;李俊熙;曹盛純 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11551 | 分類號: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 存儲 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直存儲器件,其包括:
多個字線,其在基本垂直于襯底的頂表面的第一方向上彼此間隔開,所述字線的每個在基本平行于所述襯底的所述頂表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于所述第二方向的第三方向上具有第一寬度;
虛設字線,其在所述字線的最上字線上方,所述虛設字線的邊緣部分包括開口,并且所述虛設字線的一部分在所述第三方向上具有所述第一寬度;
第一串選擇線和第二串選擇線,其在所述虛設字線上方,所述第一串選擇線和所述第二串選擇線在所述第一方向上在基本相同級處,并且所述第一串選擇線和所述第二串選擇線的每個在所述第三方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度并且沿著所述第二方向延伸到第一位置;以及
多個垂直溝道結構,所述垂直溝道結構的每個在所述第一方向上穿過所述第一串選擇線和所述第二串選擇線中的一個、所述字線以及所述虛設字線延伸,
其中所述虛設字線沿著所述第二方向延伸到比所述第一位置更遠的第二位置,并且所述虛設字線的所述開口與所述第一位置對準。
2.如權利要求1所述的垂直存儲器件,其中所述開口在所述第二方向上延伸。
3.如權利要求2所述的垂直存儲器件,其中所述開口在所述第二方向上包括第一端和第二端,以及其中在所述第一方向上所述第一端與所述第一串選擇線和所述第二串選擇線的每個的端部對準,并且所述第二端在所述第一串選擇線和所述第二串選擇線的每個的所述端部和所述虛設字線的端部之間。
4.如權利要求3所述的垂直存儲器件,還包括在所述第一串選擇線和所述第二串選擇線之間在所述第二方向上延伸的切割區域,并且所述開口與所述切割區域部分交疊。
5.如權利要求4所述的垂直存儲器件,其中所述第一串選擇線的所述第二寬度、所述第二串選擇線的所述第二寬度和所述切割區域的在所述第三方向上的寬度的總和與所述第一寬度基本相同。
6.如權利要求1所述的垂直存儲器件,還包括分別在所述第一串選擇線和所述第二串選擇線上方的第三串選擇線和第四串選擇線,其中所述第三串選擇線和所述第四串選擇線的每個在所述第三方向上具有所述第二寬度。
7.如權利要求6所述的垂直存儲器件,還包括在所述第一串選擇線和所述第二串選擇線之間以及在所述第三串選擇線和所述第四串選擇線之間的切割區域。
8.如權利要求1所述的垂直存儲器件,其中所述虛設字線包括在所述第一方向上堆疊的多個虛設字線,其中所述虛設字線的至少一個包括所述開口。
9.如權利要求8所述的垂直存儲器件,其中在所述第一串選擇線和所述第二串選擇線下方的所述虛設字線的至少一個包括所述開口。
10.如權利要求8所述的垂直存儲器件,還包括沿所述第一方向在各級處的多個串選擇線。
11.如權利要求8所述的垂直存儲器件,其中所述字線、所述虛設字線以及所述第一串選擇線和所述第二串選擇線的在所述第二方向上的邊緣部分具有階梯形狀。
12.如權利要求1所述的垂直存儲器件,還包括接觸插塞,其在所述虛設字線的在所述第二方向上的邊緣部分上并且在所述字線以及所述第一串選擇線和所述第二串選擇線的邊緣部分上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





