[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710032611.8
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106711155B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 錢海蛟;操彬彬;楊成紹;黃寅虎;陳正偉;何曉龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 任嘉文

本申請提供的一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用以提高陣列基板半導體層的電子遷移率，從而提高陣列基板的導電能力、提高陣列基板的開口率，進而提高顯示裝置的分辨率，提升產品性能。本申請實施例提供的一種陣列基板，包括半導體層，所述半導體層包括用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

目前高分辨率顯示產品成為市場主流趨勢，實現顯示器的高分辨率的關鍵在于薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)特性提升?，F有技術中，制作陣列基板一般采用非晶硅技術，但是，采用非晶硅技術得到的陣列基板中的半導體層電子遷移率較低，難以滿足顯示器高分辨率的要求。

發明內容

本申請實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用以提高陣列基板的半導體層的電子遷移率，從而提高了陣列基板的導電能力、開口率，進而提高顯示設備分辨率，提升產品性能。

本申請實施例提供的一種陣列基板，包括半導體層，所述半導體層包括用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構。

通過在半導體層設置用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構，從而提高陣列基板半導體層的電子遷移率，提高陣列基板的導電能力、提高了陣列基板的開口率，進而提高顯示設備分辨率，提升產品性能。

較佳地，所述用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構，包括多晶硅層。

較佳地，所述半導體層還包括非晶硅層，所述非晶硅層包圍所述多晶硅層。

較佳地，所述非晶硅層包括第一非晶硅層和第二非晶硅層，所述第一非晶硅層與所述多晶硅層同層設置，且包圍所述多晶硅層；所述第二非晶硅層位于所述多晶硅層之上，且覆蓋所述多晶硅層。

較佳地，所述第二非晶硅層包括第一非晶硅子層和第二非晶硅子層，所述第一非晶硅子層位于所述多晶硅層之上，且覆蓋所述多晶硅層，第二非晶硅子層位于所述第一非晶硅子層之上，其中，第一非晶硅子層和第二非晶硅子層中的氫含量不同。

較佳地，還包括保護層，該保護層位于所述多晶硅層之上，且覆蓋所述多晶硅層。

較佳地，所述保護層為絕緣層。

較佳地，還包括導體層，所述導體層包括第一導體層和第二導體層，所述第一導體層位于所述半導體層之上，所述第二導體層位于所述第一導體層之上，所述第一導體層和所述第二導體層中的磷化氫含量不同。

本申請實施例提供的一種顯示面板，包括本申請實施例提供的上述的陣列基板。

本申請實施例提供的一種顯示裝置，包括本申請實施例提供的顯示面板。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的一種陣列基板結構示意圖；

圖2為本申請實施例提供的第二種陣列基板結構示意圖；

圖3為本申請實施例提供的第三種陣列基板結構示意圖；

圖4為本申請實施例提供的第四種陣列基板結構示意圖；

圖5為本申請實施例提供的第五種陣列基板結構示意圖；

圖6為本申請實施例提供的第六種陣列基板結構示意圖；

圖7為本申請實施例提供的第七種陣列基板結構示意圖；