[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710032611.8
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106711155B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 錢海蛟;操彬彬;楊成紹;黃寅虎;陳正偉;何曉龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 任嘉文

1.一種陣列基板，包括半導體層，其特征在于，所述半導體層包括用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構；所述用于提高所述半導體層的電子遷移率的結構，包括多晶硅層；所述半導體層還包括非晶硅層，所述非晶硅層包圍所述多晶硅層；還包括導體層，所述導體層包括第一導體層和第二導體層，所述第一導體層位于所述半導體層之上，所述第二導體層位于所述第一導體層之上，所述第一導體層和所述第二導體層中的磷化氫含量不同；

所述非晶硅層包括第一非晶硅層和第二非晶硅層，所述第一非晶硅層與所述多晶硅層同層設置，且包圍所述多晶硅層；所述第二非晶硅層僅位于所述第一非晶硅層之上；

還包括保護層，該保護層位于所述多晶硅層之上，且覆蓋所述多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二非晶硅層包括第一非晶硅子層和第二非晶硅子層，所述第一非晶硅子層位于所述多晶硅層之上，且覆蓋所述多晶硅層，第二非晶硅子層位于所述第一非晶硅子層之上，其中，第一非晶硅子層和第二非晶硅子層中的氫含量不同。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層為絕緣層。

4.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1至3任一權利要求所述的陣列基板。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求4所述的顯示面板。