[發明專利]聲波濾波器裝置

有效

• 申請號: 201710032359.0
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN107528565B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 韓源;李泰勛;丁大勛;李文喆;孫尚郁
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;馬翠平

本申請要求于2016年6月15日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0074351號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及一種聲波濾波器裝置。

背景技術

體聲波(BAW)濾波器是電子裝置的前端模塊中的使穿過其中的射頻(RF)信號中的具有期望的頻帶的無線電信號通過并阻斷具有不期望的頻率的信號的核心元件。隨著智能電話、平板個人電腦(PC)以及類似的裝置的發展，對更高效率的體聲波(BAW)濾波器的需求增加。

體聲波(BAW)濾波器通常包括可根據其Q(質量)因子來描述的體聲波諧振器。所述Q性能描述了諧振器欠阻尼如何并且表征了諧振器相對于其中央頻率的帶寬。較高的Q因子指示相對于諧振器的存儲能量的較低的能量損耗率，即，振蕩更緩慢地消失。高Q諧振是BAW濾波器實現的頻率選擇性和低損耗的基礎。

為了提高體聲波諧振器的Q性能，在體聲波諧振器的圓周處形成框架，以將諧振時產生的橫向波反射到體聲波諧振器的內部，從而在有源區(active area)中捕獲諧振能量。

然而，由于如上所述沉積的絕緣層沉積在包括框架的整個體聲波諧振器以及體聲波諧振器的有源區之上，因此在通過形成在框架的外表面上的絕緣層發生諧振時產生橫向波的反射損耗，使得產生的諧振能量泄露。作為結果，Q性能劣化。

發明內容

提供本發明內容用于以介紹構思的選擇，以下在具體實施方式中以簡化形式進一步描述所述構思。本發明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要技術特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面，一種聲波濾波器裝置包括：下電極，設置在基板和壓電層之間；上電極，設置在壓電層上；絕緣層，設置在上電極上。絕緣層使上電極的部分暴露。

框架部可從上電極延伸，并且框架部的厚度大于從所述框架部延伸的延伸部的厚度。

絕緣層可使框架部的側表面部分和上表面部分暴露。

絕緣層可使框架部的側表面暴露。

絕緣層可延伸為從框架部突出。

聲波濾波器裝置還可包括下電極保護層，所述下電極保護層設置在下電極和基板之間。

空腔可形成在下電極保護層和基板之間，壓電層可設置在下電極保護層的一部分上。

空腔可通過去除犧牲層而形成。

下電極保護層和下電極均可具有傾斜部。

框架部和上電極可由相同的材料形成。

框架部可具有環形輪廓。

在另一方面，一種聲波濾波器裝置包括：下電極保護層，設置在基板上，在下電極保護層和基板之間限定空腔；下電極，設置在下電極保護層和壓電層之間；上電極，設置在壓電層上；絕緣層，設置為覆蓋上電極的部分。絕緣層使上電極的一部分暴露。

從上電極延伸的框架部的厚度可大于上電極的其他部分的厚度。

絕緣層可具有限定框架部的側表面的向外暴露的部分和上表面的向外暴露的部分的暴露孔。

框架部和上電極的所述其他部分可由相同的材料形成。

框架部可具有環形輪廓。

在另一總的方面，一種聲波濾波器裝置包括下電極和上電極。下電極設置在基板和壓電層之間，以在下電極和基板之間形成空腔。上電極設置在壓電層上。上電極包括第一框架部、第二框架部、延伸部和端部。延伸部在第一框架部和第二框架部之間延伸，端部從第二框架部延伸。絕緣層設置在第二框架部、延伸部、端部的上表面以及第一框架部的部分上表面上。

絕緣層可使第一框架部的側表面暴露。

絕緣層可使第一框架部的側表面和上表面暴露。

第一框架部和第二框架部的厚度均可大于延伸部的厚度。

從下面的具體實施方式、附圖說明和權利要求，其他特征和方面將會顯而易見。

附圖說明

圖1是示出聲波濾波器裝置的示例的示意性截面圖。

圖2是示出圖1的部分A的局部放大圖。

圖3是示出聲波濾波器裝置的另一示例的示意性截面圖。

圖4是示出圖3的部分B的局部放大圖。

圖5是示出聲波濾波器裝置的另一示例的示意性截面圖。

圖6是示出圖5的部分C的局部放大圖。

圖7是示出聲波濾波器裝置的另一示例的示意性截面圖。

圖8是示出圖7的部分D的局部放大圖。

圖9是示出聲波濾波器裝置的另一示例的示意性截面圖。