[發明專利]聲波濾波器裝置

有效

• 申請號: 201710032359.0
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN107528565B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 韓源;李泰勛;丁大勛;李文喆;孫尚郁
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;馬翠平

1.一種聲波濾波器裝置，包括：

下電極，設置在基板和壓電層之間；

上電極，設置在壓電層上；

絕緣層，設置在上電極上，

其中，絕緣層使上電極的部分暴露。

2.如權利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，從上電極延伸的框架部的厚度大于從所述框架部延伸的延伸部的厚度。

3.如權利要求2所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層使框架部的側表面的部分和上表面的部分暴露。

4.如權利要求2所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層使框架部的側表面暴露。

5.如權利要求2所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層延伸為從框架部突出。

6.如權利要求1所述的聲波濾波器裝置，所述聲波濾波器裝置還包括下電極保護層，所述下電極保護層設置在下電極和基板之間。

7.如權利要求6所述的聲波濾波器裝置，其中，空腔形成在下電極保護層和基板之間，

壓電層設置在下電極保護層的一部分上。

8.如權利要求7所述的聲波濾波器裝置，其中，空腔通過去除犧牲層而形成。

9.如權利要求7所述的聲波濾波器裝置，其中，下電極保護層和下電極均具有傾斜部。

10.如權利要求2所述的聲波濾波器裝置，其中，框架部和上電極由相同的材料形成。

11.如權利要求2所述的聲波濾波器裝置，其中，框架部具有環形輪廓。

12.一種聲波濾波器裝置，包括：

下電極保護層，設置在基板上，在下電極保護層和基板之間限定空腔；

下電極，設置在下電極保護層和壓電層之間；

上電極，設置在壓電層上；

絕緣層，設置為覆蓋上電極的部分，

其中，絕緣層使上電極的一部分暴露。

13.如權利要求12所述的聲波濾波器裝置，其中，從上電極延伸的框架部的厚度大于上電極的其他部分的厚度。

14.如權利要求13所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層具有限定框架部的側表面的向外暴露的部分和上表面的向外暴露的部分的暴露孔。

15.如權利要求13所述的聲波濾波器裝置，其中，框架部和上電極的所述其他部分由相同的材料形成。

16.如權利要求13所述的聲波濾波器裝置，其中，框架部具有環形輪廓。

17.一種聲波濾波器裝置，包括：

下電極，設置在基板和壓電層之間，以在下電極和基板之間形成空腔；

上電極，設置在壓電層上，所述上電極包括第一框架部、第二框架部、延伸部和端部，其中，延伸部在第一框架部和第二框架部之間延伸，端部從第二框架部延伸；

絕緣層，設置在第二框架部、延伸部、端部的上表面以及第一框架部的部分上表面上。

18.如權利要求17所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層使第一框架部的側表面暴露。

19.如權利要求17所述的聲波濾波器裝置，其中，絕緣層使第一框架部的側表面和上表面暴露。

20.如權利要求17所述的聲波濾波器裝置，其中，第一框架部和第二框架部的厚度均大于延伸部的厚度。