[發明專利]陣列基板、陣列基板的驅動方法、制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710030511.1 | 申請日: | 2017-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN106647079B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 蔣學兵;高吉磊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 楊靜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 驅動 方法 制備 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,所述陣列基板包括多個像素單元,每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管包括柵極線、源極和漏極,所述源極與像素電極相連;
其中,所述柵極線和所述源極在垂直于所述陣列基板的正投影方向上具有第一重疊區域,
其中,每個像素單元還包括附加條,所述附加條被設置為和所述源極在所述正投影方向上具有第二重疊區域,
其中,所述附加條與公共電極線電絕緣。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述附加條與所述柵極線的延伸方向基本平行。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述附加條與所述柵極線之間的距離大于或等于5μm。
4.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其中,所述第一重疊區域的面積與所述第二重疊區域的面積相等。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述第二重疊區域沿所述源極的延伸方向上的長度在18μm~25μm的范圍內。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述附加條與所述柵極線同層設置。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述附加條與所述像素電極同層設置。
8.一種顯示裝置,包括如權利要求1~7之一所述的陣列基板。
9.一種根據權利要求1~7之一所述的陣列基板的驅動方法,包括:
當施加到柵極線的電壓從第一電壓變為第二電壓時,施加到所述附加條的電壓從第三電壓變為第四電壓,其中,第一電壓與第二電壓的差值同第三電壓與第四電壓的差值二者符號相反。
10.根據權利要求9所述的驅動方法,其中,第一電壓與第二電壓的差值的絕對值同第三電壓與第四電壓的差值的絕對值相等。
11.一種陣列基板的制備方法,包括:
形成公共電極層;
形成柵極線和柵極絕緣層;
形成有源層、源極和漏極;以及
形成像素電極,
其中,所述制備方法還包括:
形成附加條,
其中,所述附加條被形成為與所述源極具有重疊區域并且與所述公共電極層電絕緣。
12.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述附加條被形成為與所述柵極線同層。
13.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述附加條被形成為與所述像素電極同層。
14.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述附加條被形成為與所述柵極線的延伸方向基本平行。
15.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述附加條與所述柵極線之間的距離大于或等于5μm。
16.根據權利要求10~15之一所述的制備方法,其中,所述附加條被形成為與所述源極具有重疊區域,所述重疊區域沿所述源極的延伸方向上的長度在18μm~25μm的范圍內。
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