[發明專利]靜電放電保護結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201710030460.2
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN108321153B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 陶佳佳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60;H01L21/71
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上具有多個分立的鰭部，所述多個分立的鰭部相互平行，所述襯底包括第一區域、位于所述第一區域一側且與所述第一區域相鄰的第二區域以及與所述第二區域相對設置且與所述第一區域相鄰的第三區域，沿垂直所述鰭部延伸方向，所述第二區域和所述第三區域位于所述第一區域的兩側，位于第一區域襯底上的鰭部為第一鰭部，位于第二區域襯底上的鰭部為第二鰭部，位于第三區域襯底上的鰭部為第三鰭部；

形成位于所述第一鰭部上的第一摻雜層，所述第一摻雜層內具有第一類型離子；

形成位于所述第二鰭部上的第二摻雜層和位于所述第三鰭部上的第三摻雜層，所述第二摻雜層和所述第三摻雜層內具有第二類型離子，所述第二摻雜層與所述第一摻雜層相接觸，所述第三摻雜層與所述第一摻雜層相接觸；

形成位于所述第一摻雜層上的第一電極、位于所述第二摻雜層上的第二電極以及位于所述第三摻雜層上的第三電極，所述第二電極和所述第三電極中的一個用于與第一偏壓電連接，另一個用于與第二偏壓電連接。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一鰭部上的第一摻雜層的步驟包括：形成位于所述第二區域襯底和第三區域襯底上的第一掩膜，所述第一掩膜露出所述第一鰭部；以所述第一掩膜為掩膜，在所述第一鰭部上形成第一外延層；對所述第一外延層進行離子摻雜，以形成所述第一摻雜層；

形成位于所述第二鰭部上的第二摻雜層和位于所述第三鰭部上的第三摻雜層的步驟包括：形成位于所述第一摻雜層上的第二掩膜，所述第二掩膜露出所述第二鰭部和所述第三鰭部；以所述第二掩膜為掩膜，形成位于所述第二鰭部上的第二外延層和位于所述第三鰭部上的第三外延層，所述第二外延層與所述第一外延層相接觸，所述第三外延層與所述第一外延層相接觸；對所述第二外延層和所述第三外延層進行離子摻雜，分別形成所述第二摻雜層和所述第三摻雜層。

3.如權利要求2所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，在所述第一鰭部上形成第一外延層的步驟和形成位于所述第二鰭部上的第二外延層和位于所述第三鰭部上的第三外延層的步驟中的一個或兩個步驟包括：通過外延生長工藝形成所述第一外延層、第二外延層或第三外延層。

4.如權利要求3所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，對所述第一外延層進行離子摻雜的步驟和對所述第二外延層和所述第三外延層進行離子摻雜的步驟中的一個或兩個步驟包括：

在外延生長工藝過程中進行原位離子摻雜；或者，在形成外延層之后，采用離子注入的方式進行離子摻雜。

5.如權利要求2所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，在所述第一鰭部上形成第一外延層的步驟中，所述第一外延層具有與所述襯底表面相垂直的側壁。

6.如權利要求1所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，提供襯底的步驟中，所述第一鰭部的數量為一個或多個，所述第二鰭部的數量為一個或多個，所述第三鰭部的數量為一個或多個；

所述第一鰭部的數量為多個時，在所述第一鰭部上形成第一摻雜層的步驟包括：形成位于所述多個第一鰭部上的第一摻雜層，所述第一摻雜層橫跨所述多個第一鰭部且覆蓋所述第一鰭部頂部和側壁的表面；

所述第二鰭部的數量為多個時，在所述第二鰭部上形成第二摻雜層的步驟包括：形成位于所述多個第二鰭部上的第二摻雜層，所述第二摻雜層橫跨所述多個第二鰭部且覆蓋所述第二鰭部頂部和側壁的表面；

所述第三鰭部的數量為多個時，在所述第三鰭部上形成第三摻雜層的步驟包括：形成位于所述多個第三鰭部上的第三摻雜層，所述第三摻雜層橫跨所述多個第三鰭部且覆蓋所述第三鰭部頂部和側壁的表面。

7.如權利要求6所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，提供襯底的步驟中，所述第一鰭部的數量為多個，所述第二鰭部的數量為多個，所述第三鰭部的數量為多個，所述多個第一鰭部相互平行，所述多個第二鰭部相互平行，所述多個第三鰭部相互平行。