[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201710029742.0 | 申請日: | 2017-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN106997841B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 松浦伸 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明提供一種使工藝的生產率提高的基板處理裝置。基板處理裝置(10)包括腔室(1)、載置臺(2)、底座(100)、排氣口(83)以及沉積物捕集零件(20)。載置臺(2)設于腔室(1)內,用于載置半導體晶圓(W)。底座(100)從下方支承載置臺(2)。排氣口(83)配置于底座(100)的下方。沉積物捕集零件(20)設于底座(100)的下表面,用于收集腔室(1)內的沉積物。
技術領域
本發明的各種方面和實施方式涉及基板處理裝置。
背景技術
在半導體裝置的制造工序中,可利用供給到腔室內的處理氣體對被處理基板進行蝕刻、成膜等各種處理。對被處理基板進行的處理的精度較大程度地依賴于腔室內的壓力、溫度等條件。另外,即使腔室內的壓力、溫度等是恒定的,若壓力、溫度等在被處理基板的面上產生偏差,則處理的精度也在被處理基板的面上產生不均。
為了避免這點,公知有針對腔室內的被處理基板對稱地配置排氣口的技術(例如,參照下述的專利文獻1~4)。由此,處理的均勻性在被處理基板的面內得以提高。
專利文獻1:日本特開2013-179054號公報
專利文獻2:日本特開2011-003704號公報
專利文獻3:日本特開2015-141908號公報
專利文獻4:日本特開2007-242777號公報
發明內容
不過,從腔室內排出的處理氣體含有被稱為沉積物的反應副產物的顆粒。這樣的沉積物在排氣的過程中附著于排氣路徑的側壁、與排氣路徑連接的排氣泵內。若附著于排氣泵的沉積物變多,則排氣泵的排氣能力降低,難以將腔室內保持在預定的壓力。因此,為了清除已附著到排氣泵內的沉積物,需要定期地將排氣泵分解來進行清洗。若進行排氣泵的清洗,則工藝停止直到排氣泵的清洗結束為止,工藝的生產率降低。
本發明的一技術方案是基板處理裝置,其具有腔室、載置臺、底座、排氣口以及收集構件。載置臺設于腔室內,用于載置被處理基板。底座從下方支承載置臺。排氣口配置于底座的下方。收集構件設于底座的下表面,用于收集腔室內的沉積物。
根據本發明的各種技術方案和實施方式,能夠使工藝的生產率提高。
附圖說明
圖1是表示基板處理裝置的一個例子的剖視圖。
圖2是示意性地表示腔室和載置臺的位置關系的一個例子的圖。
圖3是示意性地表示圖2所示的腔室的A-A截面的一個例子的圖。
圖4是示意性地表示圖2所示的腔室的B-B截面的一個例子的圖。
圖5是表示絕緣性構件的下表面上的沉積物的附著量與溫度之間的關系的實驗結果的一個例子的圖。
圖6是表示沉積屏蔽件上的沉積物的附著量與溫度之間的關系的實驗結果的一個例子的圖。
圖7是表示擋板上的沉積物的附著量與溫度之間的關系的實驗結果的一個例子的圖。
圖8是表示設于載置臺的外側壁的沉積屏蔽件上的沉積物的附著量與溫度之間的關系的實驗結果的一個例子的圖。
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