[發(fā)明專利]基板處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710029742.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN106997841B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松浦伸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種基板處理裝置，其特征在于，

其包括：

腔室；

載置臺(tái)，其設(shè)于所述腔室內(nèi)，用于載置被處理基板；

底座，其從下方支承所述載置臺(tái)；

排氣空間，其形成于所述底座的下方；

排氣口，其配置于所述底座的下方；

收集構(gòu)件，其用于收集所述腔室內(nèi)的沉積物，

所述收集構(gòu)件設(shè)于所述底座的下表面、而且設(shè)于所述排氣空間內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述腔室的內(nèi)側(cè)壁是圓筒形狀，

所述底座由從所述腔室的內(nèi)側(cè)壁向靠近所述內(nèi)側(cè)壁的中心軸線的方向延伸的多個(gè)支承梁支承。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述收集構(gòu)件還配置于所述底座的側(cè)面、所述支承梁的上表面、所述支承梁的側(cè)面以及所述支承梁的下表面中的至少任一個(gè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述載置臺(tái)具有圓筒形狀的外側(cè)壁，

所述排氣口是圓筒形狀，

所述腔室、所述載置臺(tái)以及所述排氣口配置成，載置到所述載置臺(tái)的所述被處理基板的中心軸線與所述腔室的內(nèi)側(cè)壁的中心軸線、所述載置臺(tái)的外側(cè)壁的中心軸線以及所述排氣口的中心軸線一致，

所述多個(gè)支承梁配置成，載置到所述載置臺(tái)的所述被處理基板的中心軸線經(jīng)過(guò)所述多個(gè)支承梁的配置的中心。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述腔室的側(cè)壁的比所述底座靠下方的部分形成有在輸入或輸出所述收集構(gòu)件之際能夠打開的窗。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述底座的內(nèi)部設(shè)有冷卻所述底座的下表面的冷卻裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述冷卻裝置使用水或空氣作為制冷劑來(lái)冷卻所述底座的下表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述冷卻裝置使用鹽水作為制冷劑來(lái)冷卻所述底座的下表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述收集構(gòu)件還配置于所述腔室的內(nèi)側(cè)壁和所述載置臺(tái)的外側(cè)壁中的、比所述載置臺(tái)的載置面靠下方的位置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述收集構(gòu)件的表面的粗糙度在6.3μm～25μm的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述收集構(gòu)件的材質(zhì)是金屬。