[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710024600.5 | 申請日: | 2017-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN106783889B | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張俊;史高飛;周如;占建英 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/027;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括顯示區(qū)域和周邊區(qū)域,其特征在于,所述周邊區(qū)域設(shè)置有第一電極線,所述第一電極線上設(shè)置有絕緣層,所述絕緣層上對應(yīng)所述第一電極線所在的位置設(shè)置有第一過孔,所述第一過孔中設(shè)置有接觸電極,所述絕緣層上設(shè)置有第二電極線,所述第二電極線通過所述接觸電極與所述第一電極線電連接;
所述第一電極線為與柵極的材料相同且同層設(shè)置的金屬線,所述第二電極線為與源漏極的材料相同且同層設(shè)置的金屬線,所述接觸電極與位于顯示區(qū)域的像素電極的材料相同且同層設(shè)置;
所述第二電極線上設(shè)置有鈍化層,在所述鈍化層上且不同于所述第一過孔所處區(qū)域設(shè)置有第二過孔,所述鈍化層上設(shè)置有公共電極,所述公共電極通過所述第二過孔與所述第二電極線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述接觸電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋所述第一過孔的底部在所述襯底基板上的正投影。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述接觸電極的材料包括金屬氧化物。
4.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-3任一所述的顯示基板。
5.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上沉積第一金屬層;
通過一次構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成柵極以及在周邊區(qū)域形成第一電極線;
沉積絕緣層;
通過構(gòu)圖工藝在所述周邊區(qū)域的絕緣層上對應(yīng)所述第一電極線所在的位置形成第一過孔;
沉積導(dǎo)電材料層;
通過一次構(gòu)圖工藝在所述顯示區(qū)域形成像素電極以及在所述周邊區(qū)域的第一過孔中形成接觸電極;
沉積第二金屬層;
通過一次構(gòu)圖工藝在所述顯示區(qū)域形成源漏極以及在所述周邊區(qū)域的絕緣層上形成第二電極線,所述第二電極線通過所述接觸電極與所述第一電極線電連接;
在所述第二電極線上形成鈍化層,在所述鈍化層上且不同于所述第一過孔所處區(qū)域設(shè)置有第二過孔;
在所述鈍化層上形成公共電極,所述公共電極通過所述第二過孔與所述第二電極線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述接觸電極的材料包括金屬氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述通過構(gòu)圖工藝在所述周邊區(qū)域的絕緣層上對應(yīng)所述第一電極線所在的位置形成第一過孔的步驟之前包括:
通過構(gòu)圖工藝在所述顯示區(qū)域形成半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述接觸電極在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述第一過孔的底部在所述襯底基板上的正投影。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710024600.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





