[發明專利]薄膜電阻合金

在審

• 申請號: 201710023485.X
• 申請日: 2017-01-13
• 公開（公告）號: CN107686909A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 李英杰
• 申請（專利權）人: 國立屏東科技大學
• 主分類號: C22C19/05
• 分類號: C22C19/05;C22C30/00;H01C7/00
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙)11301
• 代理人: 鄭玉潔

技術領域

本發明關于一種電阻合金，特別是關于一種薄膜電阻合金。

背景技術

電阻為被動組件之一，根據其工藝不同可大致區分為厚膜電阻組成物及薄膜電阻合金，厚膜電阻組成物通常被運用在對電阻值精準度誤差的容忍度較高的消費性電子產品中，而薄膜電阻合金的產生則隨著制備方法及材料上的改良，已具備相當高的精準度，可進一步應用于醫療儀器、工業計算機及汽車等精密儀器上，經濟潛能極高。

通常薄膜電阻合金的成分對于其應用性有著決定性的影響，薄膜電阻合金的溫度電阻系數（Temperature coefficient of resistance，簡稱TCR）及電阻率更是應用性的指標，優良的薄膜電阻合金應具備有低溫度電阻系數，使薄膜電阻合金在組裝形成芯片電阻或電子裝置時，可使其體積薄形化，并且擁有較高的工作穩定性。

現有技術公開了一種現有的薄膜電阻合金，該現有薄膜電阻合金的成份為鎳鉻合金或鎳鉻錳合金，該現有薄膜電阻合金具有低溫度電阻系數，即使經溫度變化依然能維持良好的穩定性，使該現有薄膜電阻合金可靠度好。然而，該現有薄膜電阻合金在維持低溫度電阻系數時，受限于該現有薄膜電阻合金的材料，其電阻率往往無法提高，在僅能具有低電阻率的情況下，限制了該現有薄膜電阻合金的應用性，無法適當地運用在需要高電阻的電子裝置或芯片上。

鑒于此，有必要提供一種薄膜電阻合金，以解決該現有薄膜電阻合金無法同時達到低溫度電阻系數和高電阻率而產生的問題。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種薄膜電阻合金，可在維持低溫度電阻系數的情況下，更進一步提高電阻率。

本發明的一種薄膜電阻合金，包括：以原子百分比計為38～60%的鎳、10～25%的鉻、3～10%的錳、4～18%的釔及1～36%的鑭系元素。

本發明的薄膜電阻合金通過其組成成分（鎳、鉻、錳、釔及鑭系元素）及特定配比（以原子百分比計為38～60%的鎳、10～25%的鉻、3～10%的錳、4～18%的釔及1～36%的鑭系元素），使該薄膜電阻合金得以在低溫度電阻系數下，提高其電阻率，以達到增加該薄膜電阻合金的應用性的目的。

其中，該薄膜電阻合金可以包括以原子百分比計為40.4～58.5%的鎳、12.5～21.6%的鉻、5.2～7.8%的錳、6.1～15.5%的釔及3.7～33.1%的鑭系元素，使該薄膜電阻合金得以在低溫度電阻系數下，具有高電阻率。

其中，該薄膜電阻合金可以包括以原子百分比計為58.5%的鎳、21.6%的鉻、7.5%的錳、8.7%的釔及3.7%的鏑；44.6%的鎳、16.2%的鉻、5.2%的錳、15.5%的釔及18.5%的鏑；42.9%的鎳、15.2%的鉻、6.2%的錳、9.5%的釔及26.2%的鏑；或41.0%的鎳、14.3%的鉻、5.5%的錳、6.1%的釔及33.1%的鏑。借此，可以調整該薄膜電阻合金的組成，以適應各種電阻率的需求。

其中，該薄膜電阻合金可以包括以原子百分比計為54.8%的鎳、19.4%的鉻、7.8%的錳、12.9%的釔及5.1%的鋱；46.6%的鎳、16.9%的鉻、8.3%的錳、10.1%的釔及18.1%的鋱；42.9%的鎳、15.1%的鉻、6.1%的錳、10.8%的釔及25.1%的鋱；或40.4%的鎳、12.5%的鉻、5.4%的錳、9.2%的釔及32.5%的鋱。借此，可以調整該薄膜電阻合金的組成，以適應各種電阻率的需求。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

圖1是本發明薄膜電阻合金及現有薄膜電阻合金的鏑的含量對電阻率的作用結果示意圖；

圖2是本發明薄膜電阻合金及現有薄膜電阻合金的鏑的含量對溫度電阻系數的作用結果示意圖；

圖3是本發明薄膜電阻合金及現有薄膜電阻合金的鋱的含量對電阻率的作用結果示意圖；

圖4是本發明薄膜電阻合金及現有薄膜電阻合金的鋱的含量對溫度電阻系數的作用結果示意圖。

具體實施方式

為使本發明的上述及其他目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特根據本發明的較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：